[发明专利]一种介质层可靠性测试结构及测试方法

说明书

本发明公开了一种介质层可靠性测试结构及测试方法，属于半导体技术领域，所述介质层可靠性测试结构包括：衬底，其上设置多个有源区；至少一个待测试介质层，设置在所述有源区上；多晶硅层，设置在所述待测试介质层上；辅助金属结构，设置在所述多晶硅层上，且所述辅助金属结构将所述多晶硅层区分为多种不规则的区域；以及辅助多晶硅结构，设置在所述衬底上，且环绕所述多晶硅层设置。通过本发明提供的一种介质层可靠性测试结构及测试方法，可提高失效分析的准确率和效率。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，特别涉及一种介质层可靠性测试结构及测试方法。

背景技术

栅氧完整性（Gate Oxide Integrity，GOI）测试是一种评估介质层质量的可靠性测试。在完成介质层的测试后，需针对失效的介质层进行失效分析，找出失效原因，以对芯片的制程进行改善。

在进行失效分析时，需要对失效点进行定位。但由于测试结构的面积较大，失效点较小，且测试结构上没有可借助定位的标尺，易导无法准确找到失效点的位置，进而无法找到失效的原因。

发明内容

本发明的目的在于提供一种介质层可靠性测试结构及测试方法，通过本发明提供的一种介质层可靠性测试结构及测试方法，可准确获取失效点的位置，进而获取失效原因。

为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：

本发明提供一种介质层可靠性测试结构，其包括：

衬底，其上设置多个有源区；

至少一个待测试介质层，设置在所述有源区上；

多晶硅层，设置在所述待测试介质层上；

辅助金属结构，设置在所述多晶硅层上，且所述辅助金属结构将所述多晶硅层区分为多种不规则的区域；以及

辅助多晶硅结构，设置在所述衬底上，且环绕所述多晶硅层设置。

在本发明一实施例中，所述辅助金属结构包括多个金属垫，且所述金属垫在第一方向上和第二方向上成排设置，其中，所述第一方向为所述有源区的延伸方向，所述第二方向垂直于所述有源区的延伸方向。

在本发明一实施例中，沿所述第一方向的所述金属垫和沿所述第二方向上的所述金属垫呈平面螺旋状排列。

在本发明一实施例中，最外层的所述金属垫与所述待测试介质层的边界重叠。

在本发明一实施例中，沿所述第一方向上的所述金属垫，与沿垂直于所述第一方向上的所述金属垫相交，且在所述第一方向和所述第二方向上，相邻两排所述金属垫之间的距离为变化值。

在本发明一实施例中，所述辅助多晶硅结构包括第一辅助多晶硅结构，所述第一辅助多晶硅结构环绕所述多晶硅层设置。

在本发明一实施例中，所述第一辅助多晶硅结构包括多个第一定位块，且所述第一定位块沿所述第一方向和所述第二方向成排设置。

在本发明一实施例中，所述第一定位块的尺寸等于所述金属垫的尺寸，相邻所述第一定位块之间的距离等于相邻所述金属垫之间的距离。

在本发明一实施例中，所述辅助多晶硅结构包括第二辅助多晶硅结构，所述第二辅助多晶硅结构沿所述第一方向设置，且位于所述第一辅助多晶硅结构和所述多晶硅层之间。

在本发明一实施例中，所述第二辅助多晶硅结构包括多个第二定位块，且所述第二定位块的尺寸小于所述金属垫的尺寸，相邻所述第二定位块之间的距离小于相邻所述金属垫之间的距离。

本发明还提供一种介质层可靠性测试方法，使用如上所述的介质层可靠性测试结构，且所述介质层可靠性测试方法包括以下步骤：

在所述待测试介质层两侧施加第一电压和第二电压；以及