[发明专利]半导体制造设备在审
申请号: | 202210818135.3 | 申请日: | 2022-07-12 |
公开(公告)号: | CN115376965A | 公开(公告)日: | 2022-11-22 |
发明(设计)人: | 王立廷;陈俊仁;游明华;杨育佳 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66;C30B25/16;C30B25/10;C30B23/06;C30B23/00 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 制造 设备 | ||
1.一种半导体制造设备,包括:
一基座,位于一外延成长腔室中;
一第一高温计,配置以监测来自该基座上的一晶圆的一背侧上的一第一点的一热辐射;
一第二高温计,配置以监测来自该基座上的该晶圆的该背侧上的一第二点的一热辐射;
一第一加热源,位于该外延成长腔室的一第一区域中;
一第二加热源,位于该外延成长腔室的一第二区域中,其中一第一控制器被配置以基于从该第一点所监测到的该热辐射来调整该第一加热源的一输出,以及基于从该第二点所监测到的该热辐射来调整第二加热源的一输出;
一第三高温计,配置以监测来自该晶圆的一前侧上的一第三点的一热辐射;以及
一第四高温计,配置以监测来自该晶圆的该前侧上的一第四点的一热辐射,其中一第二控制器被配置以基于所监测来自该第一点、该第二点、该第三点和该第四点的该等热辐射来调整注入到该外延成长腔室中的一或多种前驱物的一流率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造