[发明专利]半导体制造设备在审

专利信息
申请号: 202210818135.3 申请日: 2022-07-12
公开(公告)号: CN115376965A 公开(公告)日: 2022-11-22
发明(设计)人: 王立廷;陈俊仁;游明华;杨育佳 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/66;C30B25/16;C30B25/10;C30B23/06;C30B23/00
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 黄艳
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 制造 设备
【权利要求书】:

1.一种半导体制造设备,包括:

一基座,位于一外延成长腔室中;

一第一高温计,配置以监测来自该基座上的一晶圆的一背侧上的一第一点的一热辐射;

一第二高温计,配置以监测来自该基座上的该晶圆的该背侧上的一第二点的一热辐射;

一第一加热源,位于该外延成长腔室的一第一区域中;

一第二加热源,位于该外延成长腔室的一第二区域中,其中一第一控制器被配置以基于从该第一点所监测到的该热辐射来调整该第一加热源的一输出,以及基于从该第二点所监测到的该热辐射来调整第二加热源的一输出;

一第三高温计,配置以监测来自该晶圆的一前侧上的一第三点的一热辐射;以及

一第四高温计,配置以监测来自该晶圆的该前侧上的一第四点的一热辐射,其中一第二控制器被配置以基于所监测来自该第一点、该第二点、该第三点和该第四点的该等热辐射来调整注入到该外延成长腔室中的一或多种前驱物的一流率。

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