[发明专利]一种无电源式宽摆幅电压控制高性能射频集成开关

权利要求书

1.一种无电源式宽摆幅电压控制高性能射频集成开关，包括：单刀双掷射频开关模块、LDO模块、三相逻辑转换模块、负压电荷泵模块、升压模块及电压检测模块；其中，LDO模块、负压电荷泵模块与三相逻辑转换模块构成负压模块，LDO模块为负压电荷泵模块与三相逻辑转换器模块提供正压偏置，负压电荷泵模块为三相逻辑转换器模块提供负压偏置，三相逻辑转换电路为射频开关提供三相控制信号；其特征在于，输入控制电压V₁与V₂分别经过二极管后合成为内部电压V_DD，电压检测模块对内部电压V_DD进行自适应监测，当内部电压V_DD大于等于电压检测模块的切换电压时、内部电压V_DD输入至LDO模块，否则、内部电压V_DD经过升压模块倍增后输入至LDO模块。

2.按权利要求1所述无电源式宽摆幅电压控制高性能射频集成开关，其特征在于，所述电压检测模块包括：NMOS晶体管M₁、M₂、M₃、M₄、M₅，PMOS开关S₁、S₂、S₃，钳位电阻R，以及三级反相器，其中，每一个NMOS晶体管均采用二极管偏置连接，NMOS晶体管M₃、M₄、M₅依次串联，NMOS晶体管M₃的源极接内部电压V_DD，NMOS晶体管M₅的漏极接三级反相器的输入端；三级反相器的第二级反相器的输出连接至PMOS开关S₁与S₂的控制端，PMOS开关S₁连接于内部电压V_DD与升压模块的输入端之间，PMOS开关S₂连接于升压模块的输出端与NMOS晶体管M₁的源极之间；三级反相器的第三级反相器的输出连接至PMOS开关S₃的控制端，PMOS开关S₃连接于内部电压V_DD与NMOS晶体管M₂的源极之间；NMOS晶体管M₁与M₂的漏极均连接LDO模块的输入端；钳位电阻R一端连接三级反相器的输入端、另一端接地。

3.按权利要求2所述无电源式宽摆幅电压控制高性能射频集成开关，其特征在于，调节钳位电阻R的阻值能够实现电压检测模块的切换电压设定。