[发明专利]一种有色转换LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202210820464.1 | 申请日： | 2022-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN115377256A | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 付小朝;庄文荣 | 申请（专利权）人： | 东莞市中麒光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杜嘉伟 |
| 地址： | 523000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 有色 转换 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
1.一种有色转换LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：
在透明衬底上依次形成发光结构和电极结构，形成LED晶圆；
在硅衬底上形成多孔结构层，向所述多孔结构层内填充量子点材料，形成色转换器件；
键合所述LED晶圆和所述色转换器件，形成色转换组合器件；
去除所述色转换组合器件中的硅衬底，形成有色转换LED芯片。
2.根据权利要求1所述的有色转换LED芯片的制备方法，其特征在于，所述键合所述LED晶圆和所述色转换器件，包括：
将所述色转换器件的多孔结构层与所述LED晶圆的透明衬底键合。
3.根据权利要求1所述的有色转换LED芯片的制备方法，其特征在于，所述在硅衬底上形成多孔结构层，包括：
在所述硅衬底上形成氮化镓层；
在所述氮化镓层内制作多个凹孔，形成所述多孔结构层。
4.根据权利要求3所述的有色转换LED芯片的制备方法，其特征在于，所述凹孔为分布于所述多孔结构层外表面的盲孔。
5.根据权利要求4所述的有色转换LED芯片的制备方法，其特征在于，所述键合所述LED晶圆和所述色转换器件，包括：
将所述色转换器件中多孔结构层的外表面与所述LED晶圆的透明衬底键合。
6.根据权利要求1所述的有色转换LED芯片的制备方法，其特征在于，所述去除所述色转换组合器件中的硅衬底，包括：
腐蚀所述硅衬底，使所述多孔结构层裸露出来。
7.根据权利要求6所述的有色转换LED芯片的制备方法，其特征在于，所述腐蚀所述硅衬底，包括：
以湿法腐蚀工艺腐蚀所述硅衬底。
8.根据权利要求1所述的有色转换LED芯片的制备方法，其特征在于，所述电极结构包括极性相反的两个电极。
9.根据权利要求1所述的有色转换LED芯片的制备方法，其特征在于，所述在透明衬底上依次形成发光结构和电极结构，形成LED晶圆，还包括：
对所述透明衬底进行减薄。
10.一种有色转换LED芯片，其特征在于，由权利要求1至9任一项所述的有色转换LED芯片的制备方法制得。
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