[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一导电部件，位于半导体衬底上；

底部电极，位于所述第一导电部件上；

磁隧道结堆叠件，位于所述底部电极上，所述磁隧道结堆叠件包括：

参考层，位于所述底部电极上；

隧道势垒层，位于所述参考层上；和

自由层，位于所述参考层上；

第一间隔件，与所述自由层的侧面和所述隧道势垒层的侧面接触，其中，所述第一间隔件的底面与所述隧道势垒层的底面齐平；以及

顶部电极，位于所述磁隧道结堆叠件上。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：介电层，与所述第一间隔件的侧面和所述参考层的侧面接触。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述介电层包括氧化铝。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第二间隔件，与所述第一间隔件的侧面和所述参考层的侧面接触。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第二间隔件，与所述第一间隔件的侧面接触，其中，所述第二间隔件的底面与所述隧道势垒层的所述底面齐平。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述磁隧道结堆叠件包括位于所述参考层和所述隧道势垒层之间的台阶。

7.一种半导体器件，包括：

第一导电部件，位于半导体衬底上；

底部电极，位于所述第一导电部件上；

磁隧道结，位于所述底部电极上；

第一间隔件，位于所述磁隧道结上，其中，所述第一间隔件与所述磁隧道结的侧面接触；

顶部电极，位于所述磁隧道结上；以及

第一介电层，位于所述底部电极、所述磁隧道结、所述第一间隔件和所述顶部电极上，其中，所述第一介电层与所述磁隧道结和所述第一间隔件的侧面接触。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述磁隧道结包括自由层、隧道势垒层和参考层，其中，所述第一间隔件与所述自由层的侧面和所述隧道势垒层的侧面接触，并且其中，所述第一介电层与所述参考层的侧面接触。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述磁隧道结包括参考层、隧道势垒层和自由层，其中，所述第一间隔件与所述参考层的侧面和所述隧道势垒层的侧面接触，并且其中，所述第一介电层与所述自由层的侧面接触。

10.一种形成半导体器件的方法，包括：

在半导体衬底上方沉积底部电极层；

在所述底部电极层上方沉积磁隧道结膜堆叠件；

在所述磁隧道结膜堆叠件上方沉积顶部电极层；

图案化所述顶部电极层；

实施第一蚀刻工艺以图案化所述磁隧道结膜堆叠件；

在所述磁隧道结膜堆叠件上实施第一修整工艺；

在实施所述第一修整工艺之后，在所述磁隧道结膜堆叠件上方沉积第一间隔件层；以及

在沉积所述第一间隔件层之后，实施第二蚀刻工艺以图案化所述第一间隔件层、所述磁隧道结膜堆叠件和所述底部电极层以形成磁阻随机存取存储器单元。