[发明专利]一种废水深度处理工艺及其系统在审
申请号: | 202210823900.0 | 申请日: | 2022-07-14 |
公开(公告)号: | CN115159742A | 公开(公告)日: | 2022-10-11 |
发明(设计)人: | 任晓哲;秦小伟;沈锦鹏;杨宁;胡昊;王倩霞;许旭 | 申请(专利权)人: | 浙江东洋环境科技有限公司 |
主分类号: | C02F9/06 | 分类号: | C02F9/06;C02F101/20;C02F103/34 |
代理公司: | 湖州果得知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33365 | 代理人: | 汤荷芬 |
地址: | 313000 浙江省湖*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 废水 深度 处理 工艺 及其 系统 | ||
本发明公开了一种废水深度处理工艺及其系统,包括以下步骤:S1,去除大颗粒悬浮物;S2,过滤无法下沉的细悬浮颗粒;S3,吸附COD;S4,反洗。采用PAC混凝剂、DTC重捕剂和珍珠岩混合加入的方式,充分利用了混凝和重捕反应,同时利用珍珠岩作为初始反应载体,使反应效果叠加,在反应场中同时具有压缩双电层、吸附电中和、吸附架桥、网捕作用,去除废水中大颗粒悬浮物,之后通过滤珠室过滤,过滤细悬浮颗粒,从而去除水中的浊度,之后通过离子交换室吸附水中的COD,使得废水中的COD达到降低100mg/L的功能,从而出水确保重金属及COD都能达到提标要求。
技术领域
本发明涉及废水深度处理领域,具体涉及一种废水深度处理工艺及其系统。
背景技术
工业生产中会产生很多废水,例如电子封测企业,电子封测企业产生废水主要来自减薄、划片、切割、锡化电镀等工段,大部分企业通过传统的污水站处理方式通常能满足《污水综合排放标准》,随着环保要求越来越高,还有一些地方性的严格标准出台,随着2021年开始实施的新的《电子工业水污染物排放表准》(GB 39731-2020),使得目前大多数封测企业在重金属铜及COD排放不稳定或满足不了新标或地方标准要求,电子封测企业的废水处理排放前的提标尤为重要及紧迫。
目前封测企业大多数废水站处理(如图8)过程中,偶尔会铜离子超标或处上限情况,通过现场实际情况了解,有两种情况所造成:第一种是锡化线排水浓度高造成处理不充分铜离子高;另一种情况是水量偏大反应沉降淀时间不够,减划废水细小硅粉带出,造成检测仪器误判,而COD超标主要是排放标准提高,有些是出台了地方性的标准要求严格。在提标之前,封测行业整体COD并不高,又加上可生化性很差,往往早期大多数厂商不会设计生化工艺,现阶段一般排放水的COD约200mg/L左右;但新的标准出来,有些地方标准要求在80mg/L或160mg/L(例如:广东),又加上生化要求的占地很大,封测行业的水量又较多,老厂改造很少有二次规划生化处理的空间,目前大多数封测企业给予水站的地方不足,没有完全富余的地方供传统提标设备排布,地方的余量不大,需要一种高效、占地小的设备。
发明内容
本发明的目的,是为了解决背景技术中的问题,提供一种废水深度处理工艺及其系统。
本发明的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的:
一种废水深度处理工艺,包括以下步骤:
S1,去除大颗粒悬浮物,将芯片封测废水先经过原有污水站处理,原有污水站处理后的水,最后排放在排放前水池中,之后将处理过的废水中混合投入珍珠盐、PAC、少量DTC,使得废水在滤珠一步净水器内进行混凝和重捕反应,去除废水中大颗粒悬浮物,初步去除水中的浊度;
S2,过滤无法下沉的细悬浮颗粒,将经过步骤S1去除大颗粒悬浮物后的废水通过滤珠一步净水器中的滤珠室过滤,过滤无法下沉的细悬浮颗粒,进一步去除水中的浊度;
S3,吸附COD,将经过步骤S2过滤无法下沉的细悬浮颗粒的废水通过滤珠一步净水器中的离子交换室,吸附水中COD,出水确保重金属及COD都能达到提标要求,将达标后的废水输送至达标水箱;
S4,反洗,根据压差对滤珠一步净水器进行反洗,从达标水箱内通过反洗泵抽水部分水至滤珠一步净水器内,对滤珠一步净水器内部进行反洗,反洗后的水循环至排放前水池,之后重复S1至S3的步骤进行过滤。
S1步骤中产生的大颗粒悬浮物通过定时排泥的方式,从滤珠一步净水器的底部排出。
本发明压缩双电层是指向废水中投加电解质,降低胶体的电位,使胶体颗粒相互积聚沉降;吸附电中和是指胶粒表面不同电荷相互部分或全部中和,从而降低了胶粒间的排斥力,从而去除胶粒;吸附架桥作用是指三价的离子或高分子絮凝剂溶于水后,会形成线性的高分子聚合物,线性结构的高分子聚合物可以吸附相聚较远的胶粒,进而形成粗大的絮凝体得以沉降;网捕作用是指向水中投加金属离子化学药剂会有大量沉淀产生,沉淀物在沉降的过程中会吸附和网捕水中胶粒,与其同时沉降。
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