[发明专利]图像感测装置在审
申请号: | 202210823928.4 | 申请日: | 2022-07-14 |
公开(公告)号: | CN115714926A | 公开(公告)日: | 2023-02-24 |
发明(设计)人: | 张在亨;金钟采;李在原 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H04N25/76 | 分类号: | H04N25/76;H04N25/77;H04N25/75 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 杨雪玲;孙东喜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像 装置 | ||
1.一种图像感测装置,该图像感测装置包括:
像素阵列;
其中,所述像素阵列包括:
感测区域,该感测区域包括多个单位像素,每个单位像素检测入射光以产生指示所检测到的入射光的光电荷;
偏置场区域,该偏置场区域掺杂有杂质并且沿所述感测区域的边缘设置;以及
接触部分,该接触部分连接到所述偏置场区域,以向所述偏置场区域施加偏置电压以使所述感测区域中的光电荷移动。
2.根据权利要求1所述的图像感测装置,其中,所述像素阵列还包括:
钝化区域,该钝化区域形成为与所述感测区域交叠,
其中,所述像素阵列形成在半导体层中,其中,所述偏置场区域位于所述半导体层内的第一深度处,并且所述钝化区域位于所述半导体层内的第二深度处,并且其中所述第一深度大于所述第二深度。
3.根据权利要求2所述的图像感测装置,其中,
所述偏置场区域形成为围绕所述钝化区域;并且
所述偏置场区域形成为与所述接触部分接触。
4.根据权利要求2所述的图像感测装置,其中,
所述偏置场区域沿所述钝化区域的边缘设置;并且
所述钝化区域形成为与所述偏置场区域交叠。
5.根据权利要求1所述的图像感测装置,其中,每个所述单位像素包括:
控制区域,该控制区域在设置有所述单位像素的半导体层中产生电流;以及
检测区域,该检测区域捕获通过所述电流移动的所述光电荷。
6.根据权利要求5所述的图像感测装置,其中,
解调控制信号被施加到所述控制区域,
其中,所述解调控制信号是通过使第一电压和第二电压以预定时间间隔重复而形成的。
7.根据权利要求6所述的图像感测装置,其中,
所述解调控制信号为各自之间具有180度的相位差的两个不同解调控制信号中的任意一个。
8.根据权利要求6所述的图像感测装置,其中,
所述解调控制信号为各自之间具有90度的相位差的四个不同解调控制信号中的任意一个。
9.根据权利要求6所述的图像感测装置,其中,
所述光电荷在从所述偏置场区域到所述控制区域的方向上移动。
10.根据权利要求6所述的图像感测装置,其中,
所述偏置电压低于所述第一电压和所述第二电压中的每一个。
11.一种图像感测装置,该图像感测装置包括:
感测区域,该感测区域包括多个单位像素,每个单位像素包括用于接收第一电压或第二电压的控制区域和用于捕获通过所述第一电压或所述第二电压移动的电子的检测区域;
偏置场区域,该偏置场区域沿所述感测区域的边缘设置;
接触部分,该接触部分连接到所述偏置场区域以向所述偏置场区域施加偏置电压;以及
偏置电压控制器,该偏置电压控制器向所述接触部分传送所述偏置电压,
其中,所述偏置电压低于所述第一电压和所述第二电压中的每一个。
12.根据权利要求11所述的图像感测装置,该图像感测装置还包括:
钝化区域,该钝化区域形成为与所述感测区域交叠,
其中,所述偏置场区域位于半导体层内的第一深度处并且所述钝化区域位于所述半导体层内的第二深度处,并且其中所述第一深度大于所述第二深度。
13.根据权利要求12所述的图像感测装置,其中,
所述偏置场区域形成为围绕所述钝化区域;并且
所述偏置场区域形成为与所述接触部分接触。
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