[发明专利]一种穿戴方屏上下R角的差异结构

权利要求书

1.一种穿戴方屏上下R角的差异结构，包括方屏本体（1）、IC和手表表盘（7），所述方屏本体（1）还包括位于底端的TFT基板一（11）和设置于所述TFT基板一（11）上方的CF基板（10），所述TFT基板一（11）上呈阵列状布置有薄膜晶体管一（16），所述薄膜晶体管一（16）覆盖区域内的方屏本体（1）上设有成像部（6），且方屏本体（1）的一端连接有FPC排线（4），其特征在于：所述方屏本体（1）的四个角位置处皆呈圆弧状布置，所述方屏本体（1）靠近FPC排线（4）一端的两个拐角位置处皆设有下曲面（3），所述方屏本体（1）远离FPC排线（4）一端的两个拐角位置处皆设有上曲面（2），所述上曲面（2）部位的R角小于下曲面（3）部位的R角，所述手表表盘（7）顶端的内侧设有用于方屏本体（1）封装使用的阶梯槽（8），当方屏本体（1）封装于阶梯槽（8）内侧后，阶梯槽（8）靠近下曲面（3）一端的两个拐角位置处随下曲面（3）R角增大形成加厚密封部（9）。

2.根据权利要求1所述的一种穿戴方屏上下R角的差异结构，其特征在于：所述FPC排线（4）连接部位的方屏本体（1）上设有用于连接IC使用的驱动部（5），所述驱动部（5）位于成像部（6）的一侧，所述驱动部（5）区间内的方屏本体（1）背面设有散热层一（19），且用于连接FPC排线（4）使用的金属触点位于IC和成像部（6）夹角范围内。

3.根据权利要求1所述的一种穿戴方屏上下R角的差异结构，其特征在于：所述方屏本体（1）还包括依次设置于TFT基板一（11）下方的TFT基板二（12）和TFT基板三（13），所述TFT基板二（12）上呈阵列状布置有薄膜晶体管二（17），所述TFT基板一（11）和TFT基板二（12）部位的薄膜晶体管一（16）和薄膜晶体管二（17）相互沿对角线方向均匀交错布置，且成像部（6）的边缘轮廓不对薄膜晶体管二（17）产生遮挡，所述成像部（6）边缘位置处的TFT基板三（13）沿其轮廓方向设有R角消除带（15），所述R角消除带（15）覆盖成像部（6）的边缘布置，R角消除带（15）部位的TFT基板（13）上等间距布置有薄膜晶体管三（18），所述薄膜晶体管三（18）的大小规格小于薄膜晶体管一（16）和薄膜晶体管二（17），且靠近成像部（6）边缘一侧的薄膜晶体管三（18）皆完整布置。

4.根据权利要求3所述的一种穿戴方屏上下R角的差异结构，其特征在于：所述R角消除带（15）内侧的TFT基板三（13）上设有散热层二（14）。

5.根据权利要求2或4所述的一种穿戴方屏上下R角的差异结构，其特征在于：所述散热层一（19）和散热层二（14）皆为导热金属呈片状布置形成。