[发明专利]一种单晶硅片制绒剂及制绒方法在审
| 申请号： | 202210827641.9 | 申请日： | 2022-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN115058773A | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 彭奎庆;王江;白冰 | 申请（专利权）人： | 北京师范大学 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B33/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100875 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 片制绒剂 方法 | ||
1.一种单晶硅片制绒剂及制绒方法，其特征在于，制绒剂包括如下各组分：氢氟酸，溴和去离子水。
2.一种单晶硅片制绒剂及制绒方法，其特征在于，利用权利要求1所述的制绒剂可以在单晶硅片表面腐蚀制备正金字塔绒面。
3.根据权利要求2所述的制绒剂在单晶硅片表面腐蚀制备正金字塔绒面，其特征在于，所述方法按照如下步骤进行：将氢氟酸和溴加入去离子水中，混合均匀配制成制绒剂，将清洗干净的单晶硅片浸入到制绒剂中进行腐蚀，腐蚀时间为10-60分钟，腐蚀温度为25-60℃，然后用去离子水清洗腐蚀后的单晶硅片，随后烘干。
4.根据权利要求3所述的制绒剂在单晶硅片表面腐蚀制备正金字塔绒面，所述步骤中的氢氟酸浓度为0.5-20.0mol/L，溴浓度为0.5-5.0mol/L。
5.根据权利要求1所述的一种单晶硅片制绒剂及制绒方法，其特征在于，所述制绒剂中可以加入硝酸或过氧化氢。
6.一种单晶硅片制绒剂及制绒方法，其特征在于，将权利要求1所述的制绒剂和权利要求5所述的硝酸或过氧化氢混合均匀，所得的制绒剂可以在单晶硅片表面腐蚀制备倒金字塔绒面。
7.根据权利要求6所述的制绒剂在单晶硅片表面制备倒金字塔绒面，其特征在于，所述方法按照如下步骤进行：将氢氟酸、溴和过氧化氢(或硝酸)加入去离子水中，混合均匀配制成制绒剂，将清洗干净的单晶硅片浸入到制绒剂中进行腐蚀，腐蚀时间为10-60分钟，腐蚀温度为25-60℃，然后用去离子水清洗腐蚀后的单晶硅片，随后烘干。
8.根据权利要求7所述的制绒剂在单晶硅片表面腐蚀制备倒金字塔绒面，所述步骤中的氢氟酸浓度为0.5-20.0mol/L，溴浓度为0.5-5.0mol/L，过氧化氢浓度为0.02-2.0mol/L，硝酸浓度为0.02-3.0mol/L。
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