[发明专利]一维硅基复合负极材料及包含该负极材料的负极极片、电化学装置和电子装置

权利要求书

1.一种一维硅基复合负极材料，包括：一维硅基材料、包覆层、导电网络，其中，所述一维硅基材料呈竖直排列的阵列，所述包覆层包覆在所述一维硅基材料的表面；所述导电网络填充在所述一维硅基材料的间隙中；且相邻的一维硅基材料的间距D₂与一维硅基材料的直径D₁的比值为20%-80%，所述包覆层的厚度D₃与所述一维硅基材料的间距D₂的比值为5%-35%，所述导电网络的质量含量为5%-25%。

2.根据权利要求1所述的一维硅基复合负极材料，其特征在于，所述一维硅基材料的直径D₁小于等于1000nm。

3.根据权利要求1所述的一维硅基复合负极材料，其特征在于，所述一维硅基材料的长径比大于等于20。

4.根据权利要求1所述的一维硅基复合负极材料，其特征在于，所述一维硅基材料呈线状、棒状、管状中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的一维硅基复合负极材料，其特征在于，所述一维硅基材料的成分为M_ySiO_x，0≤y≤4，0≤x≤4，并且M 包括Li、Mg、Ti或Al中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的一维硅基复合负极材料，其特征在于，所述包覆层包括碳、金属、合金、金属化合物、硅化合物、固体电解质、导电聚合物中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的一维硅基复合负极材料，其特征在于，所述导电网络包括碳纳米纤维、碳纳米管、石墨烯片、石墨炔片中的至少一种。

8.一种负极极片，包括：集流体；活性物质层，位于所述集流体至少一个表面上；其中，所述活性物质层包括权利要求1至7中任一项所述的一维硅基复合负极材料。

9.一种电化学装置，包括：正极极片；负极极片；隔离膜，设置于所述正极极片和所述负极极片之间；其中，所述负极极片为权利要求8所述的负极极片。

10.一种电子装置，包括权利要求9所述的电化学装置。