[发明专利]一种具有广谱抗菌性光热薄膜材料的制备方法

权利要求书

1.一种具有广谱抗菌性光热薄膜材料的制备方法，其特征在于，在基体材料表面形成氮化钛/铜复合薄膜材料，具体包含如下制备步骤：

A、将基体材料进行超声清洗，然后置于磁控溅射设备中抽真空，抽至真空度达到3×10^-3Pa以下，通入氩气并调节氩气分压至3.0～5.0Pa，开启基体偏压源调节基体偏压产生辉光放电形成等离子体，等离子体对金属基体表面进行清洗20min，关闭偏压电源，调节真空压至0.5Pa并开启溅射电源，对铜靶和钛靶溅射清洗溅射5min，关闭溅射电源；

B、关闭溅射电源后，通入氮气，调节氮气和A中氩气的比例，使得真空气压稳定在0.5Pa，将A处理后的基体材料上施加-50V的偏压，开启溅射电源，利用高功率脉冲磁控溅射电源对铜靶溅射，然后利用直流电源恒流对钛靶溅射，在基体材料表面制得目标产物，掺杂金属铜的TiN薄膜材料。

2.根据权利要求1所述的一种具有广谱抗菌性光热薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤A中所述超声清洗为在丙酮和乙醇中分别超声清洗10min。

3.根据权利要求1所述的一种具有广谱抗菌性光热薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤A中所述抽真空为采用机械泵或分子泵抽真空。

4.根据权利要求1所述的一种具有广谱抗菌性光热薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤A中所述调节基体偏压为在基体材料表面施加-600V的直流负偏压。

5.根据权利要求1所述的一种具有广谱抗菌性光热薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤A中所述钛靶的溅射电源电流为0.3A。

6.根据权利要求1所述的一种具有广谱抗菌性光热薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤B中所述利用高功率脉冲磁控溅射电源对铜靶溅射中，电源电压为-500～600V，平均功率为1～2W/cm²。

7.根据权利要求1所述的一种具有广谱抗菌性光热薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤B中所述利用直流电源恒流对钛靶溅射中，恒流保持在0.3A，溅射平均功率为3W/cm²。

8.根据权利要求1所述的一种具有广谱抗菌性光热薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤B中所述掺杂金属铜的TiN薄膜材料中金属铜掺杂量为20-50％。