[发明专利]一种薄膜型压力传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种薄膜型压力传感器，其特征在于，包括：绝缘基底和绝缘盖片；

所述绝缘基底的表面和内部空腔中均包括蛇形的压阻陶瓷薄膜，其中，所述绝缘基底的内部空腔中的压阻陶瓷薄膜不受力，在使用时接入全桥电路中。

2.根据权利要求1所述的薄膜型压力传感器，其特征在于，所述压阻陶瓷薄膜为SiCN或SiBCN硅基陶瓷薄膜。

3.根据权利要求1所述的薄膜型压力传感器，其特征在于，所述绝缘基底或绝缘盖片为氧化铝/石英复合陶瓷材料。

4.一种薄膜型压力传感器的制备方法，其特征在于，包括：

利用立体光固化3D打印设备在绝缘基底的表面和内部空腔中通过立体光固化增材制造技术打印蛇形图案的硅基聚合物；

对所述硅基聚合物进行高温热解制备形成压阻陶瓷薄膜，其中，所述绝缘基底的内部空腔中形成的压阻陶瓷薄膜不受力，在使用时接入全桥电路中；

在已制备好压阻陶瓷薄膜的陶瓷基板上覆盖氧化铝/石英复合陶瓷材料绝缘盖片并烧结，制备得到压力传感器。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述硅基聚合物为聚硅氮烷或聚硼硅氮烷。

6.根据权利要求4或5所述的制备方法，其特征在于，预先在所述硅基聚合物中添加光引发剂、活性稀释剂、光吸收剂、阻聚剂或缓聚剂。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，光引发剂包括Irgacure-819或Irgacure-651，活性稀释剂包括二缩三丙二醇二丙烯酸酯。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，光吸收剂包括但苯并三唑类或三嗪类光吸收剂，阻聚剂包括4-甲氧基苯酚。

9.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述绝缘基底或绝缘盖片为氧化铝/石英复合陶瓷材料。

10.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述压阻陶瓷薄膜为SiCN或SiBCN硅基前驱体陶瓷薄膜。