[发明专利]显示面板、显示面板的制备方法及显示终端在审
申请号: | 202210835777.4 | 申请日: | 2022-07-15 |
公开(公告)号: | CN115020621A | 公开(公告)日: | 2022-09-06 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司;株式会社日本有机雷特显示器 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 孟霞 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 制备 方法 终端 | ||
1.一种显示面板,包括第一区域及第二区域,所述显示面板上还开设有至少一开槽,所述开槽位于第一区域内;其特征在于,所述显示面板还包括:
驱动基板,包括第一辅助电极,部分所述第一辅助电极从所述开槽内裸露出来;及
发光器件层,包括形成在所述驱动基板上的金属层、发光层及阴极;所述金属层包括位于第二区域内的阳极及位于第一区域内的第二辅助电极;发光层形成在所述阳极上,所述阴极形成在所述发光层上;所述第二辅助电极包括形成在所述第一辅助电极上的第一电极层及形成在所述第一电极层上的第二电极层;
所述第二电极层的一端凸出于第一电极层的一端,以在所述第二辅助电极的端部形成第一底切结构,所述阴极在所述第一底切结构处断开且与所述第一辅助电极及/或第二辅助电极电连接。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一电极层的侧向刻蚀程度大于所述第二电极层的侧向刻蚀程度。
3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,在同一刻蚀液中,所述第一电极层的耐刻蚀性能小于所述第二电极层的耐刻蚀性能。
4.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一电极层的反射率大于所述第二电极层的反射率。
5.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一电极层的材质为铝合金、银合金及钼合金中的至少一种;所述第二电极层的材质为氧化钨、氧化锌、氧化锡、氧化镓中的至少一种。
6.如权利要求1-5任一项所述的显示面板,其特征在于,所述驱动基板还包括源极及漏极,所述源极及所述漏极与所述第一辅助电极同层设置且材质相同;所述阳极包括:
形成在所述驱动基板上的第三电极层,所述第三电极层与所述第一电极层同层设置且为材质相同;及
形成在所述第三电极层上的第四电极层,所述第四电极层与所述第二电极层同层设置且材质相同,所述第三电极层及所述第四电极层构成所述阳极,所述阳极直接与所述漏极电连接。
7.如权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述驱动基板包括保护层及形成在保护层上的像素定义层,所述保护层在所述第一区域上具有至少一第一开口,所述第一辅助电极从所述第一开口内裸露出来,所述第二辅助电极部分收容在所述第一开口内;所述像素定义层包括位于所述第二区域的至少一像素开口及位于所述第一区域的至少一第二开口,部分所述第四电极层从所述像素开口内裸露出来,所述第二开口与所述第一开口一一对应设置,所述第一开口及与之相对的第二开口构成所述开槽,所述发光层位于所述像素开口内。
8.如权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述阴极在所述第一底切结构处断开以形成第一阴极部及第二阴极部,所述第二阴极部通过所述第二辅助电极与所述第一阴极部间隔设置;
所述第一阴极部的一部分位于所述第二区域内,所述第一阴极的另一部分位于所述第一区域内,所述第二阴极部位于所述第一区域内;及
所述第二阴极部与所述第一辅助电极及/或所述第二辅助电极电连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL华星光电技术有限公司;株式会社日本有机雷特显示器,未经TCL华星光电技术有限公司;株式会社日本有机雷特显示器许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210835777.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择