[发明专利]芯片及激光器

权利要求书

1.一种芯片，其特征在于，包括：主体（100），所述主体（100）的上表面设置有脊结构，所述主体（100）包括由后向前间隔设置的反射腔面（110）和出光腔面（120）；由后向前，所述脊结构具有依次且间隔设置的第一透明区域（220）和增益区域（210）；

所述脊结构的上表面具有与增益区域（210）对应的第一电极结构（310）以及与第一透明区域（220）对应的第二电极结构（320）；所述第一电极结构（310）用于被注入第一电流I₁，以使所述增益区域（210）产生增益光，所述第二电极结构（320）用于被注入第二电流I₂,以使所述增益光在第一透明区域（220）中传导时的损耗减少，所述第一电流I₁大于第二电流I₂；

所述第二电流I₂的电流强度小于第一电流I₁的百分之一。

2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，由前向后，所述第二电极结构（320）的电极图案宽度或者面积逐渐降低。

3.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于，所述第二电极结构（320）包括由前向后间隔设置的多个第二电极单元（321），且相邻两个第二电极单元（321）中，靠前的第二电极单元（321）的电极图案面积大于靠后的第二电极单元（321）的电极图案面积。

4.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，由前向后，所述第一透明区域（220）的宽度逐渐减小。

5.根据权利要求4所述的芯片，其特征在于，所述第一透明区域（220）的前端面的宽度与增益区域（210）的后端面的宽度一致。

6.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述脊结构上具有位于第一透明区域（220）后方的第一非注入区（410）；

和/或，沿前后方向，所述增益区域（210）包括间隔设置的多个注入单元，且所述第一电极结构（310）包括分别设置在每个注入单元上的第一电极单元（311）。

7.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述增益区域（210）的电流注入面积为S₁，所述第一透明区域（220）的电流注入面积为S₂，则I₂/S₂(1/2)*I₁/S₁。

8.根据权利要求7所述的芯片，其特征在于，所述第一透明区域（220）的载流子密度大于等于J_tr，小于阈值电流密度I_th/S₂，J_tr为透明载流子密度，I_th为阈值电流。

9.根据权利要求1-8任意一项所述的芯片，其特征在于，所述脊结构上具有位于增益区域（210）前方，且与增益区域（210）间隔设置的第二透明区域（230），所述脊结构的上表面具有与第二透明区域（230）对应的第三电极结构（330）；所述第三电极结构（330）用于被注入第三电流I₃,以使所述增益光在第二透明区域（230）中传导时的损耗减少，所述第一电流I₁大于第三电流I₃；

所述第三电流I₃的电流强度小于第一电流I₁的百分之一。

10.根据权利要求9所述的芯片，其特征在于，由后向前，所述第三电极结构（330）的电极图案的宽度或者面积逐渐降低；

和/或，所述脊结构上具有位于第一透明区域（220）前方的第二非注入区（420）。

11.一种激光器，其特征在于，所述激光器包括权利要求1-10任意一项所述的芯片。