[发明专利]参考时钟互补金属氧化物半导体(CMOS)输入缓冲器

权利要求书

1.一种图像传感器的参考时钟输入缓冲器，其包括：

施密特触发器[100]，其经配置以产生具有下降边缘及上升边缘的时钟信号，其中所述下降边缘及所述上升边缘由滞后电压分离，且其中所述施密特触发器包含多个输出开关[M2-i]；及

多个电压控制开关[M7-i]，其个别地耦合到所述多个输出开关中的个别输出开关[M2-i]，

其中可通过选择性地切换所述多个电压控制开关中的至少一个电压控制开关[M7-i]来调整所述施密特触发器的所述下降边缘信号或所述上升边缘信号的电压Vih、Vil。

2.根据权利要求1所述的参考时钟输入缓冲器，其中所述输出开关[M2-i]是NMOS开关。

3.根据权利要求2所述的参考时钟输入缓冲器，其中所述电压控制开关[M7-i]是PMOS开关。

4.根据权利要求3所述的参考时钟输入缓冲器，其中所述电压控制开关[M7-i]连接到电源电压[VDD]。

5.根据权利要求1所述的参考时钟输入缓冲器，其中所述多个电压控制开关包含个别地连接到所述多个输出开关中的3个输出开关的3个电压控制开关。

6.根据权利要求5所述的参考时钟输入缓冲器，其中所述多个输出开关中的个别输出开关具有3个不同的大小。

7.根据权利要求6所述的参考时钟输入缓冲器，其中通过选择性地将所述多个输出开关中的最小输出开关切换到ON状态来降低所述施密特触发器的所述上升边缘信号的所述电压Vih。

8.根据权利要求6所述的参考时钟输入缓冲器，其中通过选择性地将所述多个输出开关中的最大输出开关切换到ON状态来增加所述施密特触发器的所述上升边缘信号的所述电压Vih。

9.根据权利要求1所述的参考时钟输入缓冲器，其中所述施密特触发器是主施密特触发器，所述参考时钟输入缓冲器进一步包括副本施密特触发器，所述副本施密特触发器经配置以在校准阶段期间产生输入电压值的范围[Vref_low，Vref_high]，其中所述输入电压值的范围经配置为在操作阶段期间到所述主施密特触发器的输入。

10.根据权利要求9所述的参考时钟输入缓冲器，其中所述副本施密特触发器及所述主施密特触发器是同一施密特触发器，其在一个时间段内作为所述副本施密特触发器操作，且在另一时间段内作为所述主施密特触发器操作。

11.根据权利要求9所述的参考时钟输入缓冲器，其进一步包括：

状态机，其经配置以产生所述输入电压值的范围；及

锁存器，其经配置以产生用于输出电压控制阵列的控制位。

12.一种操作图像传感器的参考时钟输入缓冲器的方法，其包括：

通过施密特触发器[100]产生具有下降边缘及上升边缘的时钟信号，其中所述下降边缘及所述上升边缘由滞后电压分离，且其中所述施密特触发器包含多个输出开关[M2-i]；及

通过选择性地切换多个电压控制开关中的至少一个电压控制开关[M7-i]来调整所述施密特触发器的所述下降边缘信号或所述上升边缘信号的电压Vih、Vil，

其中所述多个电压控制开关[M7-i]的个别开关耦合到所述多个输出开关的个别输出开关[M2-i]。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述输出开关[M2-i]是NMOS开关且所述电压控制开关[M7-i]是PMOS开关。

14.根据权利要求12所述的方法，其中所述多个电压控制开关包含个别地连接到所述多个输出开关中的3个输出开关的3个电压控制开关。