[发明专利]一种氧化物高阻隔膜、制备的方法以及真空卷绕镀膜设备

权利要求书

1.一种氧化物高阻隔膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、将柔性基底按照卷绕路径进行穿膜，开启自动抽真空系统并达到预定值后，开启卷绕；

S2、开启预处理离子源预处理离子源对柔性基底进行清洗以及轰击，在基底全部进行了离子轰击后继续抽真空至预设值；

S3、对柔性基底进行镀膜，镀膜方式为膜材通过蒸镀、溅射、化学气相沉积中任意一种；

S4、镀膜结束后回温，恢复真空至真空度达到预定值，在收卷过程中通过离子源进行后处理。

2.根据权利要求1所述的一种氧化物高阻隔膜的制备方法，其特征在于：卷绕路径包括将柔性基底穿至放卷轴，通过导辊、镀膜辊、导辊、收卷辊的路径进行穿膜。

3.根据权利要求1所述的一种氧化物高阻隔膜的制备方法，其特征在于：步骤S1和步骤S4卷绕系统的真空系统预定值在1-10Pa，步骤S2卷绕系统的真空系统预设值为10^-2～10^-3Pa。

4.根据权利要求1所述的一种氧化物高阻隔膜的制备方法，其特征在于：步骤S2和步骤S4中，预处理与后处理使用的离子源为同一型号，便于正反镀膜时进行交换；预处理与后处理的离子源互通或者不互通，通入气体不同，预处理离子源中通入的气体为氩气，后处理离子源中通入的气体为氩氧混合气体。

5.根据权利要求4所述的一种氧化物高阻隔膜的制备方法，其特征在于：步骤S4后处理中氩氧混合物的比例与离子源的参数与在线监测光学透过率闭环控制，并采用365nm的林上卷绕式镀膜机在线测厚设备在线监测光学常数。

6.一种氧化物高阻隔膜，其特征在于：其是采用权利要求1-5中任一项的方法制备而成。

7.一种氧化物高阻隔膜真空卷绕镀膜设备，其特征在于：包括导辊、镀膜辊、收卷辊、放卷辊，所述柔性基底放卷轴，并依次通过导辊、镀膜辊、导辊、收卷辊的路径进行穿膜；预处理离子源、后处理离子源，分别设置在镀膜辊的两侧，预处理离子源用于对柔性基底进行清洗以及轰击，后处理离子源用于通过离子轰击与处理使得薄膜具有致密以及理想化学成分；所述镀膜辊的下方设有蒸发源。