[发明专利]一种减少石墨膜面内缺陷的改性处理方法有效
| 申请号： | 202210843651.1 | 申请日： | 2022-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN115108550B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 张强;马一夫;王智君;孙凯;杨文澍;陈国钦;修子扬;姜龙涛;武高辉 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C01B32/21 | 分类号： | C01B32/21 |
| 代理公司： | 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 | 代理人： | 侯静 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 减少 石墨 膜面内 缺陷 改性 处理 方法 | ||
1.一种减少石墨膜面内缺陷的改性处理方法，其特征在于：减少石墨膜面内缺陷的改性处理方法按以下步骤进行：
一、石墨膜裁剪
将石墨膜裁剪并放置在溶剂中，使之均匀展开；
所述溶剂为无水乙醇或丙酮；
二、丙酮超声处理
步骤一得到的石墨膜平铺并利用丙酮完全润湿，然后进行超声处理，最后烘干至恒重；
所述超声处理的功率为200～400W，超声处理时间为10～60s；
三、进行一次微波处理或进行两次微波处理；
所述一次微波处理的工艺为：将步骤二中得到的石墨膜转移至微波炉中进行较高功率短时的第一次微波处理，然后待石墨膜冷却后取出；
所述的一次微波处理时的微波炉功率为800～1000W，频率为2450MHz；
所述的一次微波处理时的时间为2～6s；
所述的两次微波处理的工艺为：将一次微波处理后的石墨膜进行低功率长时间的二次微波处理，待石墨膜冷却后取出；
所述的二次微波处理时的微波炉功率为500～800W，频率为2450MHz；
所述的二次微波处理时的时间为6～10s。
2.根据权利要求1所述的减少石墨膜面内缺陷的改性处理方法，其特征在于：步骤一所述石墨膜为聚酰亚胺膜经过高温石墨化处理得到的石墨膜。
3.根据权利要求1所述的减少石墨膜面内缺陷的改性处理方法，其特征在于：步骤一所述石墨膜的平均厚度为20～30μm。
4.根据权利要求1所述的减少石墨膜面内缺陷的改性处理方法，其特征在于：步骤一所述石墨膜裁剪形状为矩形或圆形。
5.根据权利要求1所述的减少石墨膜面内缺陷的改性处理方法，其特征在于：步骤二所述烘干过程的温度为50～75℃，烘干时间为2～10h。
6.根据权利要求1所述的减少石墨膜面内缺陷的改性处理方法，其特征在于：步骤三所述的二次微波处理的降温时间为2～10min。
7.根据权利要求1所述的减少石墨膜面内缺陷的改性处理方法，其特征在于：步骤三所述的一次微波处理时的微波炉功率为800W，频率为2450MHz。
8.根据权利要求1所述的减少石墨膜面内缺陷的改性处理方法，其特征在于：步骤三所述的一次微波处理时的时间为4s。
9.根据权利要求1所述的减少石墨膜面内缺陷的改性处理方法，其特征在于：步骤三所述的二次微波处理时的微波炉功率为500W，频率为2450MHz。
10.根据权利要求1所述的减少石墨膜面内缺陷的改性处理方法，其特征在于：步骤三所述的二次微波处理时的时间为6s。
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