[发明专利]半导体器件及开关电源

说明书

本申请公开了一种半导体器件及开关电源，半导体器件包括：第一埋层，位于衬底的第一区域中；体区、第一阱区、漂移区、以及第二阱区，位于第一埋层上，漂移区位于第一阱区与体区之间，且与体区接触，第二阱区为环形区，与第一埋层构成隔离区，将体区、第一阱区、漂移区包围；第三阱区，位于衬底的第二区域中；隔离结构，位于衬底的第二区域中，且位于第二阱区与第三阱区之间，隔离结构的部分表面暴露在衬底外部且悬空，以阻隔半导体器件中的漏电回路。本申请利用悬空的隔离结构，实现了阻隔半导体器件中漏电回路的目的，并提升了隔离效果。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路技术领域，更具体地，涉及一种半导体器件及开关电源。

背景技术

开关电源因其效率高、功耗小、稳定性高、稳压范围宽、体积小等优势被广泛应用于各行各业中。其中，Buck(降压)-boost(升压)型结构，因其输出电压范围更广，常用于DC-DC(直流转直流)电源芯片中。Buck-boost型开关电源的输出电压既可以大于输入电压，也可以小于输入电压且输出电压与输入电压极性相反。

Buck-boost型开关电源在死区时间时，开关电源中参与电感放电的晶体管会出现大电流漏电的情况，这对开关电源的稳定性、可靠性不利。

发明内容

本申请提供了一种半导体器件及开关电源，解决了半导体器件大电流漏电的问题，提高了开关电源的稳定性和可靠性。

根据本申请的一方面，提供一种半导体器件，其中，包括：

衬底，包括第一区域和第二区域；

第一埋层，位于所述衬底的第一区域中；

体区、第一阱区、漂移区、以及第二阱区，位于所述衬底的第一区域中，并位于所述第一埋层上，其中，所述漂移区位于所述第一阱区与所述体区之间，且与所述体区接触，所述第二阱区为环形区，与所述第一埋层构成隔离区，将所述体区、所述第一阱区、所述漂移区包围；

第三阱区，位于所述衬底的第二区域中；以及

隔离结构，位于所述衬底的第二区域中，且位于所述第二阱区与所述第三阱区之间，

其中，所述隔离结构的部分表面暴露在所述衬底外部且悬空，以阻隔所述半导体器件中的漏电回路。

可选地，所述隔离结构为环形区。

可选地，所述隔离结构中包括：

第四阱区，位于所述第二阱区与所述第三阱区之间；以及

第五阱区，位于所述第四阱区与所述第三阱区之间，其中，所述第四阱区为第一掺杂类型，所述第五阱区为第二掺杂类型，所述第三阱区与所述第四阱区之间形成第一寄生电阻。

可选地，还包括：

第二埋层，位于所述衬底中，所述第五阱区位于所述第二埋层表面。

可选地，还包括：

第一掺杂区，位于所述第一阱区中，所述第一掺杂区的至少部分表面暴露在所述衬底外部，以接触金属层作为衬底端；

第二掺杂区，位于所述第二阱区中，所述第二掺杂区的至少部分表面暴露在所述衬底外部，所述第二掺杂区接地；

第三掺杂区，位于所述第三阱区中，所述第三掺杂区的至少部分表面暴露在所述衬底外部，所述第三掺杂区接地；

漏区，位于所述漂移区中，且所述漏区的至少部分表面暴露在所述衬底外，以接触金属层作为漏极端；

源区，位于所述体区中，且所述源区的至少部分表面暴露在所述衬底外，以接触金属层作为源极端；