[发明专利]像素电路及显示面板在审

专利信息
申请号: 202210844894.7 申请日: 2022-07-18
公开(公告)号: CN115148142A 公开(公告)日: 2022-10-04
发明(设计)人: 吴渊;吴婷婷 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: G09G3/20 分类号: G09G3/20
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 杨瑞
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 像素 电路 显示 面板
【权利要求书】:

1.一种像素电路,其特征在于,包括:

驱动晶体管;

第一发光控制晶体管,所述第一发光控制晶体管的源极/漏极中的一个与正电源线连接,所述第一发光控制晶体管的源极/漏极中的另一个与所述驱动晶体管的源极/漏极中的一个连接,所述第一发光控制晶体管的栅极与第一发光控制线连接;以及

钳位单元,所述钳位单元的控制端与所述驱动晶体管的栅极连接,所述钳位单元的一端与第一节点连接,所述钳位单元的另一端与第二节点连接,用于根据所述驱动晶体管的栅极电位减小所述第一节点与所述第二节点之间的电阻。

2.根据权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述第一节点为所述正电源线至所述驱动晶体管的源极/漏极中的一个之间的一连接点;所述第二节点为所述正电源线至所述驱动晶体管的源极/漏极中的一个之间的另一连接点。

3.根据权利要求2所述的像素电路,其特征在于,所述第一节点为所述第一发光控制晶体管的源极/漏极中的另一个至所述驱动晶体管的源极/漏极中的一个之间的一连接点;所述第二节点为所述第一发光控制晶体管的源极/漏极中的另一个至所述驱动晶体管的源极/漏极中的一个之间的另一连接点,或者,所述第二节点为所述正电源线至所述第一发光控制晶体管的源极/漏极中的一个之间的一连接点。

4.根据权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述钳位单元包括钳位晶体管,所述钳位晶体管的栅极与所述驱动晶体管的栅极连接,所述钳位晶体管的源极/漏极中的一个与所述第一节点连接,所述钳位晶体管的源极/漏极中的另一个与所述第二节点连接;所述钳位晶体管的沟道类型与所述驱动晶体管的沟通类型不同。

5.根据权利要求4所述的像素电路,其特征在于,所述钳位晶体管为N沟道型薄膜晶体管或者P沟道型薄膜晶体管中的一个,所述驱动晶体管为N沟道型薄膜晶体管或者P沟道型薄膜晶体管中的另一个。

6.根据权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述像素电路还包括:

第二发光控制晶体管,所述第二发光控制晶体管的源极/漏极中的一个与所述驱动晶体管的源极/漏极中的另一个连接,所述第二发光控制晶体管的栅极与第二发光控制线连接,所述第二发光控制线与所述第一发光控制线相同或者不同;和

并联单元,所述并联单元与所述第二发光控制晶体管并联。

7.根据权利要求4所述的像素电路,其特征在于,所述并联单元的一端与所述第二发光控制晶体管的源极/漏极中的一个连接,所述并联单元的另一端与所述第二发光控制晶体管的源极/漏极中的另一个连接,所述并联单元的控制端与所述第二发光控制线连接。

8.根据权利要求7所述的像素电路,其特征在于,所述并联单元包括并联晶体管,所述并联晶体管的源极/漏极中的一个与所述第二发光控制晶体管的源极/漏极中的一个连接,所述并联晶体管的源极/漏极中的另一个与所述第二发光控制晶体管的源极/漏极中的另一个连接,所述并联晶体管的栅极与所述第二发光控制晶体管的栅极连接。

9.根据权利要求1-7任一项所述的像素电路,其特征在于,所述像素电路在一帧中的工作过程包括先后进行的初始化阶段、写入阶段以及发光阶段,所述钳位单元工作于所述写入阶段和/或所述发光阶段。

10.一种显示面板,其特征在于,包括多个如权利要求1至9任一项所述的像素电路,多个所述像素呈阵列分布。

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