[发明专利]一种存储器数据保存方法和系统

说明书

本申请涉及一种存储器断数据保存方法和系统，方法包括以下步骤：基于存储器的存储空间，划分一个目标区域以及一个候选区域集合；向目标区域写入存储数据；判断目标区域的剩余存储空间大小是否小于预设值；则基于存储数据写入时间的顺序，提取最后一次写入的存储数据作为有效数据；更新候选区域集合中的任意一个候选区域为新的目标区域，并将有效数据写入新的目标区域；擦除原始目标区域，将原始目标区域更新为新的候选区域，并向目标区域中继续写入动态数据。本申请在整个数据存储过程中，通过多个存储区域来切换保存数据，以及时擦除过期无效数据，在统一擦除存储空间时，擦除数量能够大幅度减少，具有提高存储器的使用寿命的效果。

技术领域

本申请涉及计算机存储技术领域，尤其是涉及一种存储器数据保存方法和系统。

背景技术

在使用单片机保存数据的时候，一般会想到使用EEPROM（带电可擦可编程只读存储器，Electrically Erasable Programmable read only memory）和FLASH（快闪存储器，Flash memory）。EEPROM和FLASH都是非易失性存储器，即在断电后依然能保存数据。

但单片机一般不带有EEPROM，故需要使用FLASH去模拟EEPROM。FLASH存储器在进行数据写入操作之前必须先擦除对应的擦除单元。如果在记录数据时发生断电，可能导致FLASH 存储器数据丢失、异常等情况。现有的Flash 存储器在写入数据时，一般通过备份的方法进行断电保护，即每次写入数据都会将数据写入FLASH存储器两次。

针对上述中的相关技术，FLASH存储器对应的擦除单元通常较大，并且在实际使用过程中系统产生的动态数据会随着时间延长逐渐增多，在系统重新上电恢复数据后，备份的数据每次都要从固定位置开始擦除，擦除数量多，存在有容易造成FLASH存储器寿命降低的缺陷。

发明内容

为了减少存储器单次擦除的数量，提高存储器的使用寿命，本申请提供一种存储器数据保存方法和系统。

本申请提供的一种存储器断电保存数据保存方法，采用如下的技术方案：

一种存储器断电保存数据保存方法，包括以下步骤：

基于存储器的存储空间，划分一个目标区域以及一个候选区域集合，其中，所述候选区域集合中包含至少一个候选区域；

向所述目标区域写入存储数据，其中，所述存储数据包括配置数据、动态数据和断电保存数据；

判断所述目标区域的剩余存储空间大小是否小于预设值，若为是，则基于所述存储数据写入时间的顺序，提取最后一次写入的所述存储数据作为有效数据；

更新所述候选区域集合中的任意一个所述候选区域为新的所述目标区域，并将所述有效数据写入新的所述目标区域；

擦除原始目标区域，将所述原始目标区域更新为新的所述候选区域，并向新的所述目标区域中继续写入动态数据，其中，所述原始目标区域为更新前的所述目标区域。

通过采用上述技术方案，在向存储器中保存写入存储数据前，将存储器的存储空间划分目标区域和至少一个候选区域，目标区域用于存储数据，而候选区域用于备用存储数据。由于程序会依靠配置数据进行工作，在存储器中存储配置数据，便于程序进行数据读取；而动态数据和断电保存数据则是在程序运行过程中由程序产生的数据。在保存写入存储数据时，通过设置预设值，并和目标区域剩余的存储空间进行相比，来判断目标区域是否还可以继续写入存储数据。若判断出当前目标区域的剩余存储空间不足时，从当前目标区域中提取出最后一次写入的数据，即最新的数据，然后将最新的数据写入到由任意一个候选区域更新成的新的目标区域。在将最新的数据写入新的目标区域之后，原始目标区域被擦除，并更新为新的候选区域，放置在候选区域集合中以便于后续可以在候选区域集合中重新选用该区域并写入存储数据。