[发明专利]磁存储设备

权利要求书

1.一种磁存储设备，包括：

第一导体层；

第二导体层；

第三导体层；

三端式的第一存储单元，其被连接到所述第一导体层、所述第二导体层和所述第三导体层，其中，

所述第一存储单元包括：

第四导体层，其包括被连接到所述第一导体层的第一部分、被连接到所述第二导体层的第二部分、以及被连接到所述第三导体层的第三部分，

第一磁阻效应元件，其被连接在所述第三导体层与所述第四导体层之间，

两端式的第一开关元件，其被连接在所述第二导体层与所述第四导体层之间，以及

两端式的第二开关元件，其被连接在所述第一导体层与所述第三导体层之间。

2.根据权利要求1所述的磁存储设备，其中，所述第一开关元件具有带折回的电流电压特性。

3.根据权利要求1所述的磁存储设备，其中，所述第二开关元件被连接在所述第三导体层与所述第一磁阻效应元件之间。

4.根据权利要求3所述的磁存储设备，其中，所述第二开关元件具有无折回的电流电压特性。

5.根据权利要求3所述的磁存储设备，还包括：

第五导体层；

第六导体层；以及

三端式的第二存储单元，其被连接到所述第一导体层、所述第五导体层和所述第六导体层，其中，

所述第四导体层包括被连接到所述第五导体层的第四部分和被连接到所述第六导体层的第五部分，以及

所述第二存储单元与所述第一存储单元共享所述第四导体层，并且所述第二存储单元包括：

第二磁阻效应元件，其被连接在所述第六导体层与所述第四导体层之间，

两端式的第三开关元件，其被连接在所述第五导体层与所述第四导体层之间，以及

两端式的第四开关元件，其被连接在所述第六导体层与所述第二磁阻效应元件之间。

6.根据权利要求5所述的磁存储设备，其中，

所述第一导体层和所述第四导体层在第一方向上延伸，

所述第二导体层和所述第三导体层在与所述第一方向相交的第二方向上延伸，以及

当从与包括所述第一方向和所述第二方向的平面相交的第三方向观看时：

所述第一磁阻效应元件和所述第二开关元件与所述第三导体层和所述第四导体层重叠，

所述第一开关元件与所述第二导体层和所述第四导体层重叠，

所述第二磁阻效应元件和所述第四开关元件与所述第六导体层和所述第四导体层重叠，以及

所述第一开关元件与所述第五导体层和所述第四导体层重叠。

7.根据权利要求6所述的磁存储设备，其中，所述第一磁阻效应元件和所述第二磁阻效应元件沿着所述第一方向彼此对齐。

8.根据权利要求5所述的磁存储设备，其中，

所述第一导体层在第一方向上延伸，

所述第二导体层和所述第三导体层在与所述第一方向相交的第二方向上延伸，

所述第四导体层在与所述第一方向和所述第二方向都相交但在与所述第一方向和所述第二方向相同的平面内的第四方向上延伸，以及

当从与包括所述第一方向和所述第二方向的平面相交的第三方向观看时：

所述第一磁阻效应元件和所述第二开关元件与所述第三导体层和所述第四导体层重叠，

所述第一开关元件与所述第二导体层和所述第四导体层重叠，

所述第二磁阻效应元件和所述第四开关元件与所述第六导体层和所述第四导体层重叠，以及

所述第三开关元件与所述第五导体层和所述第四导体层重叠。

9.根据权利要求8所述的磁存储设备，其中，由所述第二方向和所述第四方向形成的角度是(90-atan(1/3))度。

10.根据权利要求8所述的磁存储设备，其中，所述第一磁阻效应元件和所述第二磁阻效应元件沿着所述第四方向彼此对齐。