[发明专利]无掩膜制备二硫化钼微孔图案的方法有效
| 申请号： | 202210847399.1 | 申请日： | 2022-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN115231616B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 陶涛;蒋砚南;蒋迪;严羽;赵红;谢自力 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 江苏斐多律师事务所 32332 | 代理人： | 张佳妮 |
| 地址： | 210046 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 无掩膜 制备 二硫化钼 微孔 图案 方法 | ||
1.一种无掩膜制备二硫化钼微孔图案的方法，其特征在于其步骤包括：
(1)、将二硫化钼膜转移到衬底上，所述衬底上已经制备好待转移的周期性图案；
(2)、常压、空气氛围中升温，达到指定温度后，通入惰性气体保温一段时间，得到上有与衬底图案相对应的周期性微孔图案的二硫化钼膜。
2.根据权利要求1所述的无掩膜制备二硫化钼微孔图案的方法，其特征在于步骤(2)中指定温度为300-400℃，保温时间为30～180min。
3.根据权利要求1所述的无掩膜制备二硫化钼微孔图案的方法，其特征在于：步骤(1)中转移具体为先超声清洗并使用酒精润湿衬底，再使用PDMS拾取所需二硫化钼膜并在真空环境中将其平贴于衬底上，在真空环境中60-80℃加热10～20min，直至二硫化钼膜被释放且残余酒精被蒸发；最后在常温常压下依次使用丙酮，酒精，去离子水浸泡清洗，加热烘干，待降至室温后再进行步骤(2)的升温。
4.根据权利要求1所述的无掩膜制备二硫化钼微孔图案的方法，其特征在于：步骤(1)中所述二硫化钼膜厚度为10nm～100nm。
5.根据权利要求4所述的无掩膜制备二硫化钼微孔图案的方法，其特征在于：二硫化钼膜厚度为10～50nm时，步骤(2)中指定温度为300-350℃，保温时间为60～180min。
6.根据权利要求4所述的无掩膜制备二硫化钼微孔图案的方法，其特征在于：二硫化钼膜厚度大于50nm且小于等于100nm时，步骤(2)中指定温度为350-400℃，保温时间为30～120min。
7.根据权利要求1所述的无掩膜制备二硫化钼微孔图案的方法，其特征在于：步骤(2)中通入的惰性气体为40sccm～200sccm的氮气或者氩气，反应压强为一个标准大气压。
8.根据权利要求1所述的无掩膜制备二硫化钼微孔图案的方法，其特征在于：步骤(2)中升温速率为5℃/min。
9.根据权利要求1所述的无掩膜制备二硫化钼微孔图案的方法，其特征在于：衬底上周期性图案为微米孔或微米柱，其深度或高度为二硫化钼膜厚度的1～10倍。
10.根据权利要求1所述的无掩膜制备二硫化钼微孔图案的方法，其特征在于：步骤(1)中在真空环境下进行转移。
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