[发明专利]一种对碲镉汞芯片进行霍尔测试的方法

权利要求书

1.一种对碲镉汞芯片进行霍尔测试的方法，其特征在于，包括：

获得预处理碲镉汞芯片；所述预处理碲镉汞芯片的碲镉汞膜层需要电学引出的区域未覆盖钝化层，所述碲镉汞膜层除需要电学引出的区域外覆盖有所述钝化层；

在所述碲镉汞膜层需要电学引出的区域生长金属电极；所述金属电极与所述碲镉汞膜层形成欧姆接触；

将探针与所述金属电极连接，并对所述碲镉汞膜层进行霍尔测试。

2.如权利要求1所述的对碲镉汞芯片进行霍尔测试的方法，其特征在于，获得预处理碲镉汞芯片包括：

遮挡碲镉汞芯片的碲镉汞膜层需要电学引出的区域，并在碲镉汞膜层不需要电学引出的区域生长钝化层；

对生长有钝化层的所述碲镉汞芯片进行热处理，以形成p型的碲镉汞膜层，得到所述预处理碲镉汞芯片。

3.如权利要求1所述的对碲镉汞芯片进行霍尔测试的方法，其特征在于，获得预处理碲镉汞芯片包括：

在碲镉汞芯片的碲镉汞膜层全部区域生长钝化层；所述钝化层包括硫化锌层和碲化镉层；

对生长有钝化层的所述碲镉汞芯片进行热处理，以形成p型的碲镉汞膜层；

在所述钝化层的表面涂覆光刻胶，并去除与需要电学引出的区域对应的光刻胶；

利用浓盐酸腐蚀液腐蚀位于碲镉汞膜层需要电学引出的区域的所述硫化锌层；

利用氢溴酸腐蚀液腐蚀位于碲镉汞膜层需要电学引出的区域的所述碲化镉层，得到所述预处理碲镉汞芯片。

4.如权利要求1所述的对碲镉汞芯片进行霍尔测试的方法，其特征在于，在所述碲镉汞膜层需要电学引出的区域生长金属电极包括：

在所述碲镉汞膜层需要电学引出的区域生长铬层；

在所述铬层的表面生长金层。

5.如权利要求4所述的对碲镉汞芯片进行霍尔测试的方法，其特征在于，在所述碲镉汞膜层需要电学引出的区域生长铬层包括：

采用离子束沉积法，在所述碲镉汞膜层需要电学引出的区域生长铬层；

在所述铬层的表面生长金层包括：

采用离子束沉积法，在所述铬层的表面生长金层。

6.如权利要求4所述的对碲镉汞芯片进行霍尔测试的方法，其特征在于，所述铬层的厚度在200nm～300nm之间，所述金层的厚度在50nm～100nm之间。

7.如权利要求2所述的对碲镉汞芯片进行霍尔测试的方法，其特征在于，对生长有钝化层的所述碲镉汞芯片进行热处理包括：

将生长有钝化层的所述碲镉汞芯片置于退火炉中，在300℃～350℃温度范围、氮气氛围下进行热处理。

8.如权利要求1至7任一项所述的对碲镉汞芯片进行霍尔测试的方法，其特征在于，获得预处理碲镉汞芯片之前，还包括：

抛光碲镉汞芯片，去除所述碲镉汞芯片的表面损伤和缺陷；

清洗抛光后的所述碲镉汞芯片。