[发明专利]用于200微米以下薄化基板的载入机构及载入方法在审
申请号: | 202210857903.6 | 申请日: | 2022-07-20 |
公开(公告)号: | CN116504705A | 公开(公告)日: | 2023-07-28 |
发明(设计)人: | 陈明生 | 申请(专利权)人: | 特铨股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/677 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 200 微米 以下 薄化基板 载入 机构 方法 | ||
1.一种用于200微米以下薄化基板的载入机构,其适于在一处理薄化基板的处理设备中,其特征在于,该载入机构至少包含有:
一预对准装置,其具有一设于该处理设备支撑结构上的机座,该机座内设有一驱动单元,又该驱动单元具有一通过机座顶面延伸、且被旋转的输出轴,另该输出轴端部组装一供放置该薄化基板的基板平台,且该基板平台顶面具有一供置放该薄化基板的第一接合板面,该第一接合板面能够被选择性对该薄化基板生成一吸附用的静电场,又该机座另设有一传感器单元,供该传感器单元对应吸附在该基板平台上的薄化基板的上表面进行预对准的检测定向作业;
一搬运装置,其设于该处理设备的支撑结构上,该搬运装置具有一能够多轴移动、旋转的基板牙叉,且该基板牙叉的两个侧表面中至少一侧表面被定义为一抓取表面,而该至少一抓取表面能够被选择性对该薄化基板生成一吸附用的静电场。
2.根据权利要求1所述的用于200微米以下薄化基板的载入机构,其特征在于,该预对准装置的驱动单元被允许带动该放置于基板平台上的薄化基板与该传感器单元间的相对移动。
3.根据权利要求1所述的用于200微米以下薄化基板的载入机构,其特征在于,该预对准装置的基板平台外径小于该薄化基板定向刻痕的范围、且大于该薄化基板直径的三分之一,用以使该薄化基板被该基板平台的静电场吸附时,该薄化基板具定向刻痕的边缘能够被支撑呈平整状。
4.根据权利要求1所述的用于200微米以下薄化基板的载入机构,其特征在于,该预对准装置的基板平台具有一被选择性升降承接该薄化基板的顶料组。
5.根据权利要求4所述的用于200微米以下薄化基板的载入机构,其特征在于,该预对准装置的顶料组位于基板平台轴心、且贯穿该第一接合板面,使得该顶料组能够被作动升降来接收该薄化基板放置于该第一接合板面上。
6.根据权利要求5所述的用于200微米以下薄化基板的载入机构,其特征在于,该预对准装置的顶料组顶面具有一能够被选择性生成一静电场的第二接合板面。
7.根据权利要求1所述的用于200微米以下薄化基板的载入机构,其特征在于,该预对准装置的基板平台于相对轴心两侧分别形成有一相对边缘开口的牙叉开槽,用以供搬运装置的基板牙叉伸入。
8.一种用于200微米以下薄化基板的载入机构,其适于在一处理薄化基板的处理设备中,其特征在于,该载入机构至少包含有:
一预对准装置,其设于该处理设备上,该预对准装置至少具有一供被选择性放置该薄化基板的基板平台,且该基板平台顶面具有一供接收该薄化基板的第一接合板面,而该第一接合板面能够被选择性对该薄化基板生成一吸附用的静电场;
一搬运装置,其设于该处理设备上,该搬运装置至少具有一用于抓取该薄化基板的基板牙叉,且该基板牙叉具有至少一抓取表面,而该至少一抓取表面能够被选择性对该薄化基板生成一吸附用的静电场。
9.一种用于200微米以下薄化基板的载入方法,其适于在一处理薄化基板的处理设备中进行,其特征在于,该载入方法步骤包含有:
首先,提供至少一薄化基板于一处理设备的至少一进出料埠;
接着,使用一搬运装置的一基板牙叉放置于任一薄化基板表面并利用一静电场对上述薄化基板进行抓取作业;
接下来,通过上述搬运装置将被抓取的薄化基板放置于一预对准装置的一基板平台上;
然后,使上述基板平台利用一静电场对该薄化基板进行固持作业;
之后,使上述预对准装置对上述薄化基板进行预对准的定向作业;
紧接着,使用上述搬运装置的基板牙叉利用静电场对上述完成预对准定向的薄化基板进行抓取作业;
接着,通过上述搬运装置的基板牙叉将上述完成预对准定向的薄化基板放置于上述处理设备的一工作平台上;
然后,令上述处理设备对上述完成预对准定向的薄化基板进行相对应的处理作业;
最后,使用上述搬运装置将该完成处理作业的薄化基板移动至任一进出料埠。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造