[发明专利]半导体器件的制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，用于研磨厚度大于10μm的金属层，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上形成有介质层；所述介质层和所述衬底中形成开口，金属层填充所述开口且覆盖所述介质层的表面；

研磨所述金属层高于所述介质层的部分，研磨垫接触所述金属层进行研磨，所述研磨垫的表面设置有硬质微粒子，所述硬质微粒子的粒径范围为国际筛网规格的目数6000～10000。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述硬质微粒子包括钻石颗粒。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述金属层的材质包括Cu，所述研磨工艺中加入去离子水、Cu研磨液和Cu保护液进行研磨。

4.如权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述Cu研磨液为酸性，包括：水性介质、研磨粒子、氧化剂、酸类及有机添加剂；相对于所述Cu研磨液的全部重量而言，所述研磨粒子、所述氧化剂、所述酸类及所述有机添加剂的含量分别为1-30wt％；1-10wt％；0.001-5wt％；0.001-1wt％，余量为所述水性介质。

5.如权利要求4所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述研磨粒子为胶粒状二氧化硅粒子或胶粒状氧化铝粒子，所述氧化剂为至少一种含过氧基的物质，所述酸类为至少一种有机酸或无机酸或二者混合，所述有机添加剂为季铵盐。

6.如权利要求5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述酸类中的有机酸选自苯并三唑、柠檬酸、柠檬酸盐及乙二胺四乙酸中的至少一种成分。

7.如权利要求5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述酸类中的无机酸选自硫酸、硝酸、盐酸及磷酸中的至少一种成分。

8.如权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述Cu保护液包括：苯并三氮唑、乙醇和肥皂液的混合溶液。

9.如权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述Cu研磨液的流量范围：100ml/min～300ml/min；所述研磨垫转速范围为：20rpm～30rpm。

10.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述开口的侧壁和底面还形成有阻挡层，所述金属层覆盖所述阻挡层并填充所述开口。