[发明专利]一种栅压切换双通道选择功率放大器电路

权利要求书

1.一种栅压切换双通道选择功率放大器电路，其特征在于，包括衬底，形成于衬底上的栅压切换末前级匹配网络电路、有源区、大小功放高效率共用末级匹配电路、第一栅压加电压块VG1和第二栅压加电压块VG2，所述栅压切换末前级匹配网络电路与所述有源区连接后接入所述大小功放高效率共用末级匹配电路，所述有源区包括镜像分布的两组末级管芯：第一末级管芯FET1、第二末级管芯FET2、第四电容C4和第六电容C6，所述第一末级管芯FET1的栅极分别与第四电容C4的一端、栅压加电压块VG1连接，所述第二末级管芯FET2的栅极分别与第六电容C6的一端、第二栅压加电压块VG2连接，第四电容、第六电容的另一端接地，所述栅压加电压块输出不同的馈电电压控制末级管芯的工作个数，从而控制大小功放高效率共用末级匹配电路输出不同的功率。

2.根据权利要求1所述一种栅压切换双通道选择功率放大器电路，其特征在于，所述镜像分布的两组末级管芯均包括2ⁿ个依次并联的单结晶体管。

3.根据权利要求1所述一种栅压切换双通道选择功率放大器电路，其特征在于，所述大小功放高效率共用末级匹配电路包括第一电路单元M1、第二电路单元M2、第二电容C2和第三电容C3，所述第一电路单元M1与第二电路单元M2镜像分布，所述第一电路单元M1包括MIN电容C1、第一微带线L1、第二微带线L2和第三微带线L3，所述第一电路单元M1中MIM电容C1、第一微带线L1、第二微带线L2依次串联，直流馈电电路网络键合压点VD接入MIM电容C1和第一微带线L1的公共端，所述第一微带线L1和第二微带线L2的公共端接入所述微带线L3的中点，所述第三微带线L3的一端接入所述第一末级管芯FET1的漏极，另一端接入所述第二末级管芯FET2的漏极，第一电路单元M1中的微带线L2和第二电路单元M2中的镜像的微带线相互连接，第二微带线L2的公共端与第三电容C3的一端连接，第三电容C3的另一端作为输出端，第二微带线L2分别与第三电容C3的公共端、第二电容C2连接后接地。

4.根据权利要求3所述一种栅压切换双通道选择功率放大器电路，其特征在于，第一电路单元M1和第二电路单元M2内各镜像点的微波功率信号幅度和相位一致。

5.根据权利要求1所述一种栅压切换双通道选择功率放大器电路，其特征在于，所述栅压切换末前级匹配网络电路包括第三电路单元M3、第四电路单元M4、第八电容C8，所述第三电路单元M3与第四电路单元M4镜像分布，所述第三电路单元M3包括第51电容C51、第52电容C52、第七电容C7和第四微带线L4，所述第51电容C51的一端接入所述第一末级管芯FET1的栅极，第52电容C52的一端接入所述第二末级管芯FET2的栅极，所述第51电容C51的另一端与第52电容C52的另一端连接，第51电容C51和第52电容C52的公共端分别与第七电容C7的一端、第四微带线L4的一端连接，第七电容的另一端作为信号的输出端。

6.根据权利要求5所述一种栅压切换双通道选择功率放大器电路，其特征在于，输入信号经过第51电容C51和第52电容C52后分两路输入第一末级管芯FET1和第二末级管芯FET2，第51电容C51和第52电容C52对末级管芯FET1和末级管芯FET2进行栅压隔离，切换栅压模式。

7.根据权利要求1所述一种栅压切换双通道选择功率放大器电路，其特征在于，两个栅压加电压块VG1和VG2输出工作馈电电压时，末级管芯FET1和末级管芯FET2正常工作，此时电路处于大功率模式，电压块VG1输出截止馈电电压时，末级管芯FET1截止，此时电路处于小功率模式。

8.根据权利要求7所述一种栅压切换双通道选择功率放大器电路，其特征在于，大功率工作模式频率为8-12GHz，输出功率20W；小功率工作模式频率为6-18GHz，输出功率38dBm。

9.根据权利要求1所述一种栅压切换双通道选择功率放大器电路，其特征在于，所述栅压切换双通道选择功率放大器电路采用GaAs或GaN材料作为基片。

10.根据权利要求1所述一种栅压切换双通道选择功率放大器电路，其特征在于，栅压切换双通道选择功率放大器电路芯片由0.25μm或者0.2μm工艺制作，衬底厚80μm，上表面金层厚3.3μm。