[发明专利]极紫外掩模、使用极紫外掩模的方法以及图案化方法

权利要求书

1.一种极紫外(EUV)掩模，包括：

衬底；

位于所述衬底上的反射多层堆叠；

位于所述反射多层堆叠上的帽盖特征，所述帽盖特征包括第一帽盖层，所述第一帽盖层包括具有非晶结构的材料；以及

位于所述帽盖特征上的图案化吸收层。

2.根据权利要求1所述的EUV掩模，其中，所述非晶结构包括具有小于5纳米的晶粒尺寸的纳米晶体结构。

3.根据权利要求1所述的EUV掩模，其中，所述非晶结构包括具有小于2纳米的晶粒尺寸的纳米晶体结构。

4.根据权利要求1所述的EUV掩模，其中，所述帽盖特征还包括第二帽盖层，所述第二帽盖层包括具有非晶结构的材料，所述第二帽盖层的材料与所述第一帽盖层的材料不同。

5.根据权利要求4所述的EUV掩模，其中，所述第一帽盖层的材料包括的元素针对波长为13.5nm的EUV辐射的EUV消光系数与所述第二帽盖层的材料的元素针对波长为13.5nm的EUV辐射的EUV消光系数不同。

6.根据权利要求5所述的EUV掩模，其中，所述第一帽盖层的材料的元素针对波长为13.5nm的EUV辐射的EUV消光系数处于0至0.1之间。

7.根据权利要求5所述的EUV掩模，其中，所述第二帽盖层的材料的元素针对波长为13.5nm的EUV辐射的EUV消光系数处于0至0.1之间。

8.根据权利要求4所述的EUV掩模，其中，所述第一帽盖层的材料包括以下元素：所述元素在包含所述元素和碳的系统的共晶点处，具有小于3原子％的固态碳溶解度。

9.一种使用EUV掩模的方法，所述方法包括：

将EUV掩模暴露于入射辐射，所述EUV掩模包括：

衬底；

位于所述衬底上的反射多层堆叠；

位于所述反射多层堆叠上的多层帽盖特征，所述多层帽盖特征包括第一帽盖层和第二帽盖层，所述第一帽盖层包括含Rh、Ir、Pt、Au或Zr的第一合金，所述第二帽盖层包括含Rh、Ir、Pt、Au或Zr的第二合金，所述第二合金与所述第一合金不同；以及

位于所述多层帽盖特征上的图案化吸收层；

使所述入射辐射的一部分在所述图案化吸收层中吸收；

使所述入射辐射的一部分透射穿过所述第一帽盖层和所述第二帽盖层；使所述入射辐射的一部分从所述反射多层堆叠反射；以及

将所述入射辐射的由所述反射多层堆叠反射的部分引导至待被图案化的材料。

10.一种图案化方法，包括：

将EUV掩模暴露于入射辐射，所述EUV掩模包括：

衬底；

位于所述衬底上的反射多层堆叠；

位于所述反射多层堆叠上的帽盖特征，所述帽盖特征包括包含以下元素的材料：所述元素在所述元素和碳的系统的共晶点处，具有小于3原子％的固态碳溶解度；以及

位于所述帽盖特征上的图案化吸收层；

使所述入射辐射的一部分在所述图案化吸收层中吸收；

使一定量的所述入射辐射在所述帽盖特征中吸收；

使所述入射辐射的一部分从所述反射多层堆叠反射；以及

将所述入射辐射的由所述反射多层堆叠反射的部分引导至待被图案化的材料。