[发明专利]一种单根银纳米线器件的制备方法

权利要求书

1.一种单根银纳米线器件的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：

(1)选取石英玻璃片，使用有机溶剂清洗干净后，标记叉指电极图案；

(2)使用电子束曝光机，在石英玻璃片上刻蚀标记的叉指电极图案；

(3)放入等离子清洗机内，通过氧或氮等离子体清洗；

(4)放入磁控溅射机，按照蚀刻的标记镀上两层金属,；

(5)使用有机溶剂冲洗后，通过氧或氮气等离子体吹干；

(6)配置银纳米线分散液，将其滴加在石英玻璃片上，得到单根银纳米线搭接的电极；

步骤(6)配置的所述银纳米线分散液浓度为1.8-2.2mg/L。

2.根据权利要求1所述的一种单根银纳米线器件的制备方法，其特征在于，步骤(4)所述镀上两层金属包括覆盖在所述石英玻璃片上的薄层和覆盖在所述薄层上的厚层；所述薄层的金属为镍或铬，其厚度为15-25nm；所述厚层的金属为金，其厚度为90-110nm。

3.根据权利要求1所述的一种单根银纳米线器件的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述叉指电极图案的电极间距为步骤(6)所述银纳米线分散液中的银纳米线长度的1/2-2/3。

4.根据权利要求3所述的一种单根银纳米线器件的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述叉指电极图案的电极间距为步骤(6)所述银纳米线分散液中的银纳米线长度的1/2-7/12。

5.根据权利要求1所述的一种单根银纳米线器件的制备方法，其特征在于，步骤(6)配置的所述银纳米线分散液浓度为1.9-2.1mg/L。

6.根据权利要求1所述的一种单根银纳米线器件的制备方法，其特征在于，步骤(6)配置的所述银纳米线分散液中的银纳米线长度为10-100μm，直径为10-100nm。

7.根据权利要求1所述的一种单根银纳米线器件的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述有机溶剂为85-95％丙酮，或90-95％乙醇。

8.根据权利要求1所述的一种单根银纳米线器件的制备方法，其特征在于，步骤(2)电子束曝光剂量为250-350μC/cm²，电子束加速电压为15-25kV，电子束电流为250-350pA。