[发明专利]一种高稳定性的氧化物薄膜晶体管阵列基板及制备方法

权利要求书

1.一种高稳定性的氧化物薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：包括：

基板；

第一金属层，设于所述基板上；

第一绝缘层，设于所述第一金属层上；所述第一绝缘层还开设有第一通孔，从所述第一通孔露出所述第一金属层上表面；

有源层，设于所述第一绝缘层上；

第二金属层，设于所述有源层上，且通过所述第一通孔和所述第一金属层连接；

第二绝缘层，设于所述第二金属层上；

第三绝缘层，设于所述第二绝缘层上；

第三金属层，设于所述第三绝缘层上对应TFT的公共电极搭接区；

第四绝缘层，设于所述第三金属层上方，并在公共电极搭接区开设有第二通孔，从所述第二通孔露出所述第三金属层的上表面；

第一ITO层，设于所述第四绝缘层上，并通过所述第二通孔与所述第三金属层连接；

第五绝缘层，设于所述第一ITO层上；所述第五绝缘层在TFT的漏极区还开设有第三通孔，从所述第三通孔露出所述第二金属层上表面；所述第五绝缘层在TFT上方的无效区还开设有凹槽区，且所述凹槽区向下贯穿所述第四绝缘层露出所述第三绝缘层上表面；所述第五绝缘层在TFT与TFT之间开设有隔断区，且所述隔断区向下贯穿所述第四绝缘层露出所述第三绝缘层上表面；

第二ITO层，设于所述第三通孔处，并通过所述第三通孔和漏极区的所述第二金属层连接。

2.根据权利要求1所述的一种高稳定性的氧化物薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：所述凹槽区的底部和隔断区的底部分别设有垫层，所述垫层和所述第三金属层位于同一水平面。

3.根据权利要求1或2所述的一种高稳定性的氧化物薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：所述第一金属层采用铝、钼、钛、镍、铜、银、或钨中的一种或多种、或者合金制备；

所述第二金属层和第一金属层采用相同的材料制备。

4.根据权利要求3所述的一种高稳定性的氧化物薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：所述第一金属层采用夹层式结构为：Ti/Al/Ti、Al/Ti、Al/Mo、或Mo/Al/Mo。

5.根据权利要求1或2所述的一种高稳定性的氧化物薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：所述第一绝缘层采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化钛、或氧化铝制备；

所述第二绝缘层、第四绝缘层、第五绝缘层和第一绝缘层采用相同的材料制备。

6.根据权利要求1或2所述的一种高稳定性的氧化物薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：所述有源层采用金属氧化物半导体材料制备。

7.根据权利要求1或2所述的一种高稳定性的氧化物薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：所述第三绝缘层采用有机高分子材料制备。

8.一种高稳定性的氧化物薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于：如权利要求2所述的低应力氧化物薄膜晶体管阵列基板的制备方法包括以下步骤：

S1、在基板之上成膜制作第一金属层；

S2、在所述第一金属层上制作第一绝缘层；

S3、在所述第一绝缘层之上制作有源层，然后在所述第一绝缘层上制作第一通孔，露出第一金属层上表面；

S4、在所述有源层之上成膜制作第二金属层，所述第二金属层通过所述第一通孔与所述第一金属层相连；

S5、在所述第二金属层之上制作第二绝缘层；

S6、在所述第二绝缘层之上制备第三绝缘层；

然后在所述第三绝缘层上对应TFT的漏极区制备出第一穿孔，并露出漏极区的所述第二绝缘层上表面；

S7、在所述第三绝缘层上对应公共电极搭接区制作第三金属层，且用和所述第三金属层相同的材料，在TFT上方的无效区、TFT器件之间制作垫层；其中，所述垫层和第三金属层位于同一水平面；

S8、在第三金属层之上制作第四绝缘层；然后通过蚀刻在公共电极搭接区制备第二通孔，露出所述第三金属层上表面；

S9、在第四绝缘层上，利用透明导电材料ITO制备第一ITO层，并通过第二通孔与第三金属层相连；

S10、在所述第一ITO层之上制备第五绝缘层，然后通过蚀刻工艺在第一穿孔的上方进一步制备出第二穿孔，第二穿孔向下穿过第二绝缘层，露出第二金属层上表面，形成第三通孔；同时在所述垫层的位置蚀刻出凹槽区和隔断区；

S11、利用ITO透明导电材料制备第二ITO层，并通过所述第三通孔与漏极区的第二金属层相连。