[发明专利]支承玻璃基板及使用其的层叠体

说明书

本发明的技术课题在于，通过创制不易发生加工基板的尺寸变化的支承基板、及使用其的层叠体，从而有助于半导体封装体的高密度安装。本发明的支承玻璃基板，其特征在于，在20～200℃的温度范围内的平均线性热膨胀系数超过81×10^‑7/℃且为110×10^‑7/℃以下。

本申请是申请号：201580038593.3，PCT申请号：PCT/JP2015/074269，申请日：2015.8.27，发明名称：“支承玻璃基板及使用其的层叠体”的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及支承玻璃基板及使用其的层叠体，具体而言，涉及在半导体封装体的制造工序中用于加工基板的支承的支承玻璃基板及使用其的层叠体。

背景技术

对于手机、笔记本型个人电脑、PDA(Personal Data Assistance，个人数字化处理器)等便携型电子设备，要求小型化及轻量化。与此相伴的是，这些电子设备中使用的半导体芯片的安装空间也受到严格限制，半导体芯片的高密度安装成为课题。因此，近年来，通过三维安装技术、即将半导体芯片彼此层叠并对各半导体芯片间进行布线连接而寻求半导体封装体的高密度安装。

此外，目前的晶片级封装(WLP)是以晶片的状态形成凸块后通过切割单片化而制作的。但是，目前的WLP存在难以增加针数、以及在半导体芯片的背面露出的状态进行安装，因此半导体芯片容易产生缺口等问题。

因此，作为新型的WLP，提出了散出(fan out)型的WLP。散出型的WLP能够使针数增加，此外，能够通过保护半导体芯片的端部而防止半导体芯片的缺口等。

发明内容

发明要解决的课题

就散出型的WLP而言，具有：将多个半导体芯片用树脂密封材料密封而形成加工基板后，在加工基板的一个表面进行布线的工序；和形成焊料凸块的工序；等。

这些工序由于伴随有约200℃的热处理，因此有密封材料变形、发生加工基板的尺寸变化之虞。发生加工基板的尺寸变化时，对加工基板的一个表面进行高密度布线变得困难，此外也难以正确地形成焊料凸块。

为了抑制加工基板的尺寸变化，使用用于支承加工基板的支承基板是有效的。但是，即使是使用支承基板的情况下，也存在发生加工基板的尺寸变化的情况。

本发明是鉴于上述情况而作出的，其技术课题在于，通过创制出不易发生加工基板的尺寸变化的支承基板及使用其的层叠体，从而有助于半导体封装体的高密度安装。

用于解决课题的手段

本发明人反复进行了各种实验，结果发现，通过在选择玻璃基板作为支承基板时严密地规定该玻璃基板的热膨胀系数，从而能够解决上述技术课题，由此提出了本发明。即，本发明的支承玻璃基板，其特征在于，在20～200℃的温度范围内的平均线性热膨胀系数超过81×10^-7/℃且为110×10^-7/℃以下。其中，“20～200℃的温度范围内的平均线性热膨胀系数”可以通过膨胀计来测定。

玻璃基板容易对表面进行平滑化、且具有刚性。因此，使用玻璃基板作为支承基板时，可以使加工基板坚固、且准确地进行。此外，玻璃基板容易透过紫外光、红外光等光。因此，使用玻璃基板作为支承基板时，通过用紫外线固化型粘合剂等设置粘接层等，可以容易地将加工基板和支承玻璃基板固定。此外，通过设置吸收红外线的剥离层等，还可以容易地将加工基板和支承玻璃基板分离。作为另一方式，通过用紫外线固化型胶带等设置粘接层等，可以容易将地将加工基板和支承玻璃基板分离。