[发明专利]基于LTCC工艺的高Q值高矩形系数的谐振式耦合滤波器

权利要求书

1.基于LTCC工艺的高Q值高矩形系数的谐振式耦合滤波器，包括基体（1）、输入输出外电极（2）以及接地外电极（3），两个输入输出外电极（2）设置在基体（1）相对的两个侧面，两个接地外电极（3）设置在基体（1）另外两个相对的侧面，其特征在于：所述基体（1）由多个电介质板堆叠形成，且该多个电介质板包括，

第一基板，其上形成有第一接地层（9）；

第二基板，叠置于第一基板上方，且第二基板上形成有第一导体层（480）、第五导体层（880），位于第一导体层（480）中的多个第一导电过孔柱（400），以及位于第五导体层（880）中的多个第五导电过孔柱（800）；

第三基板，叠置于第二基板上方，且第三基板上形成有第二导体层（570）、第三导体层（670）和第四导体层（770）；位于第二导体层（570）中的多个第二导电过孔柱（500），位于第三导体层（670）中的多个第三导电过孔柱（600），位于第四导体层（770）中的多个第四导电过孔柱（700）；

第四基板，叠置于第三基板上方，且第四基板上形成有第六导体层（661）；

第五基板，叠置于第四基板上方，且第五基板上形成有第七导体层（450）、第八导体层（550）、第九导体层（650）、第十导体层（750）和第十一导体层（850），多个第一导电过孔柱（400）、多个第二导电过孔柱（500）、多个第三导电过孔柱（600）、多个第四导电过孔柱（700）和多个第五导电过孔柱（800）分别位于第七导体层（450）、第八导体层（550）、第九导体层（650）、第十导体层（750）和第十一导体层（850）中，

第六基板，叠置于第五基板上方，且第六基板上形成有第十二导体层（640），且多个第三导电过孔柱（600）位于第十二导体层（640）中；

第七基板，叠置于第六基板上方，且第七基板上形成有第二接地层（10），且第二接地层（10）的两端分别延伸出与输入输出外电极（2）相耦合的输出电极（11）和输入电极（12），且多个第一导电过孔柱（400）、多个第二导电过孔柱（500）、多个第三导电过孔柱（600）、多个第四导电过孔柱（700）和多个第五导电过孔柱（800）均连接至第二接地层（10）；

其中，多个电介质板中的多个第一导电过孔柱（400）相应连通形成第一谐振电感L1，多个电介质板中的第二导电过孔柱（500）相应连通形成第二谐振电感L2，多个第三导电过孔柱（600）相应连通形成第一谐振电感L3，多个电介质板中的第四导电过孔柱（700）相应连通形成第四谐振电感L4，多个电介质板中的第五导电过孔柱（800）相应连通形成第五谐振电感L5，

第一导体层（480）与第一接地层（9）形成下地电容C1，第二导体层（580）与第一接地层（9）形成下地电容C2，第三导体层（680）与第一接地层（9）形成下地电容C3，第四导体层（780）与第一接地层（9）形成下地电容C4，第五导体层（880）与第一接地层（9）形成下地电容C5，

第一谐振电感L1与下地电容C1并联形成谐振单元A，第二谐振电感L2与下地电容C2形成谐振单元B，第三谐振电感L3与下地电容C3并联形成谐振单元C，第四谐振电感L4与下地电容C4形成谐振单元D，第五谐振电感L5与下地电容C5形成谐振单元E，且谐振单元A、谐振单元B与谐振单元C、谐振单元D互成镜像设置；

其中，第二导体层（580）与第一导体层（480）形成耦合电容C12，第四导体层（780）与第五导体层（880）形成耦合电容C45，第六导体层（661）与第二导体层（580）、第四导体层（780）形成交叉耦合电容C24，第十二导体层（640）的两侧分别延伸至第八导体层（550）、第十导体层（750）的上方，与第八导体层（550）、第十导体层（750）分别形成耦合电容C14和耦合电容C25。

2.根据权利要求1所述的基于LTCC工艺的高Q值高矩形系数的谐振式耦合滤波器，其特征在于：所述第一谐振电感L1、第二谐振电感L2、第四谐振电感L4、第五谐振电感L5分别由间隔设置的两个导电过孔柱群组成，所述第三谐振电感L3由一个导电过孔柱群组成。