[发明专利]闪耀光栅的制造方法

权利要求书

1.闪耀光栅的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

在光栅基底上形成图案；

采用掩膜材料在所述光栅基底上形成刻蚀掩膜，所述掩膜材料填充满所述光栅基底图案中的空隙；

去除所述光栅基底表面的刻蚀掩膜，直至所述光栅基底的图案被露出，填充在所述光栅基底图案空隙中的的掩膜材料不会被去除；

对所述光栅基底进行倾斜角度刻蚀，得到需要的闪耀光栅结构；

去除剩余的掩膜材料。

2.根据权利要求1所述的闪耀光栅的制造方法，其特征在于，所述光栅基底为沉积在硅衬底上的SiO₂层；或者所述光栅基底为硅基底。

3.根据权利要求1所述的闪耀光栅的制造方法，其特征在于，所述掩膜材料为Al₂O₃、HfO₂、Ga₂O₃、AlN、Ir、Pt中的一种。

4.根据权利要求1-3中的任意一项所述的闪耀光栅的制造方法，其特征在于，在所述光栅基底上形成图案的方法包括：

采用抗蚀剂在光栅基底上旋涂一层抗蚀层，将抗蚀层进行曝光、显影，形成具有图案的抗蚀层；

在光栅基底上采用电子束蒸发蒸镀金属层，所述金属层的厚度小于抗蚀层的厚度，所述金属层蒸镀在抗蚀层图案中的空隙；

去除剩余的抗蚀剂，形成具有图案的金属层；

采用刻蚀法将金属层的图案转移至所述光栅基底。

5.根据权利要求4所述的闪耀光栅的制造方法，其特征在于，所述抗蚀剂为聚甲基丙烯酸甲酯PMMA，所述金属层为Cr金属层。

6.根据权利要求1-3中的任意一项所述的闪耀光栅的制造方法，其特征在于，对所述光栅基底进行倾斜角度刻蚀的方法为：进行倾斜离子束刻蚀。

7.根据权利要求1-3中的任意一项所述的闪耀光栅的制造方法，其特征在于，对所述光栅基底进行倾斜角度刻蚀的方法为：将所述光栅基底置于法拉第笼中，法拉第笼引导刻蚀等离子体垂直于法拉第笼的表面进入，实现倾斜角度反应离子刻蚀。

8.根据权利要求6所述的闪耀光栅的制造方法，其特征在于，对所述光栅基底进行倾斜角度刻蚀的过程中，在刻蚀至出现部分光栅时取出光栅基底，采用倾斜电子束在掩膜材料露出的侧壁上蒸镀一层增强掩膜层，然后继续对所述光栅基底进行倾斜角度刻蚀。

9.根据权利要求8所述的闪耀光栅的制造方法，其特征在于，所述增强掩膜层为Cr增强掩膜层。