[发明专利]一种用于NMOS管的高边驱动方法、系统及装置

权利要求书

1.一种用于NMOS管的高边驱动方法，其特征在于，包括以下步骤：

设置电源模块，通过电子开关在每个NMOS管的G极电性连接；

通过设置MCU，分别与所述电子开关、所述NMOS管电性连接，用于通过控制所述电子开关对每个所述NMOS管进行供电，同时采集每个所述NMOS管的运行状态，防止所述NMOS管出现短路或过流。

2.根据权利要求1所述一种用于NMOS管的高边驱动方法，其特征在于：

在设置电源模块的过程中，获取外接电源的第一输出电压，根据所述NMOS管完全导通的电压，生成所述电源模块的第二输出电压，其中，所述第一输出电压与所述第二输出电压的第一差值，为所述NMOS管完全导通的电压。

3.根据权利要求2所述一种用于NMOS管的高边驱动方法，其特征在于：

在生成第二输出电压的过程中，获取所述NMOS管的最小导通电压，获取所述第一输出电压与所述第二输出电压的第二差值；

根据所述第一差值和所述第二差值，构建所述电源模块，其中，所述外接电源为参考电势的降压稳压输出。

4.根据权利要求3所述一种用于NMOS管的高边驱动方法，其特征在于：

在设置电子开关的过程中，所述电子开关由NPN三极管和PNP三极管组成，或由NPN三极管和PNP三极管的复合管组成；

或，由小功率的PMOS和NMOS组成，或NMOS和PMOS组成的复合管组成。

5.根据权利要求4所述一种用于NMOS管的高边驱动方法，其特征在于：

所述PNP三极管或所述PMOS分别与所述G极、所述电源模块电性连接；

所述NPN三极管或所述NMOS与所述MCU电性连接；

所述PNP三极管与所述NPN三极管电性连接；

所述PMOS与所述NMOS电性连接。

6.根据权利要求5所述一种用于NMOS管的高边驱动方法，其特征在于：

在获取外接电源的第一输出电压的过程中，所述第一输出电压包括但不限于12V、24V、48V。

7.一种用于NMOS管的高边驱动系统，其特征在于，包括：

NMOS管；

电子开关，与所述NMOS管电性连接；

MCU，分别与所述电子开关、所述NMOS管电性连接；

电源模块，与所述电子开关电性连接。

8.根据权利要求7所述一种用于NMOS管的高边驱动系统，其特征在于：

所述高边驱动系统包括若干个所述NMOS管；

每个所述NMOS管与一个所述电子开关电性连接；

所述MCU分别与每个所述NMOS管、每个所述电子开关电性连接；

所述电源模块与每个所述电子开关电性连接。

9.一种用于NMOS管的高边驱动装置，其特征在于，包括：

壳体，以及设置在壳体内部的电源模块、电子开关；

所述电源模块与外部电源电性连接；

所述电子开关分别与所述NMOS管、所述MCU电性连接。