[发明专利]集成电路器件及其制造方法以及芯片封装件在审
| 申请号： | 202210863914.5 | 申请日： | 2022-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN115472580A | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 张任远;江政鸿;刘钦洲;林荣松 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/38 | 分类号： | H01L23/38;H01L35/32;H01L35/34 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 器件 及其 制造 方法 以及 芯片 封装 | ||
1.一种集成电路器件，包括：
芯片，包括半导体衬底；以及
热电模块，嵌入所述半导体衬底中，其中，所述热电模块包括第一半导体结构，所述第一半导体结构电连接至第二半导体结构，其中，热电模块的底部延伸穿过所述半导体衬底的厚度，并且其中，所述第一半导体结构和所述第二半导体结构包括不同导电类型的掺杂剂。
2.根据权利要求1所述的集成电路器件，所述芯片是第一芯片，所述半导体衬底是第一半导体衬底，并且所述热电模块是第一热电模块，所述集成电路器件还包括第二芯片，其中所述第二芯片包括第二半导体衬底，和嵌入所述第二半导体衬底中的第二热电模块，并且其中，所述第一热电模块和所述第二热电模块电连接。
3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，每个所述第一半导体结构和所述第二半导体结构通过介电层与所述半导体衬底分隔开。
4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述热电模块的所述底部包括倾斜的侧壁。
5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述热电模块的所述底部包括弯曲的侧壁。
6.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述热电模块包括顶部，所述顶部横向地延伸穿过与所述半导体衬底的顶面平行的表面。
7.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括电连接至所述热电模块的电压传感器。
8.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括电连接至所述热电模块的电源。
9.一种芯片封装件，包括：
底部芯片，包括第一衬底；
顶部芯片，电接合至所述底部芯片，其中，所述顶部芯片包括第二衬底；以及
热电器件，嵌入所述第二衬底中，其中，所述热电器件包括n型结构，所述n型结构连接至p型结构，并且其中，每个所述n型结构和所述p型结构延伸至接触所述底部芯片。
10.一种用于制造集成电路器件的方法，包括：
形成延伸至衬底中的第一半导体结构；
形成延伸至所述衬底中并且邻接所述第一半导体结构的第二半导体结构，其中，所述第一半导体结构和所述第二半导体结构包括不同导电类型的掺杂剂；以及
形成沿着每个所述第一半导体结构和所述第二半导体结构的侧壁的介电衬垫。
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