[发明专利]电源电路在审
申请号: | 202210864273.5 | 申请日: | 2022-07-21 |
公开(公告)号: | CN115102394A | 公开(公告)日: | 2022-09-23 |
发明(设计)人: | 李明昊;任臣;杨拥军 | 申请(专利权)人: | 河北美泰电子科技有限公司 |
主分类号: | H02M3/156 | 分类号: | H02M3/156;H02M1/088;H02M1/32 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 付晓娣 |
地址: | 050000 河北省石家*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电源 电路 | ||
1.一种电源电路,其特征在于,包括:运算放大器、第一NMOS管、偏置电流源及第一分压单元;
所述运算放大器的同相输入端用于输入参考电压,所述运算放大器的反相输入端与所述第一分压单元的第二端连接,所述运算放大器的输出端分别与所述偏置电流源的输入端、所述第一NMOS管的栅极及所述电源电路的输出端连接;
所述第一NMOS管的源极与所述第一分压单元的第一端连接,所述第一NMOS管的漏极与直流电源连接;
所述第一分压单元的第三端及所述偏置电流源的输出端均接地。
2.如权利要求1所述的电源电路,其特征在于,所述电源电路还包括:第二分压单元;
所述第二分压单元的第一端分别与所述运算放大器的输出端及所述第一NMOS管的栅极连接,所述第二分压单元的第二端与所述电源电路的输出端连接,所述第二分压单元的第三端与所述偏置电流源的输入端连接。
3.如权利要求2所述的电源电路,其特征在于,所述第二分压单元包括:至少两个第一电阻及至少两个开关;各个第一电阻与各个开关一一对应;
除最后一个第一电阻外,各个第一电阻的第二端均与下一个第一电阻的第一端及对应的开关的第一端连接;
最后一个第一电阻的第二端分别与对应的开关的第一端及所述第二分压单元的第三端连接;
第一个第一电阻的第一端与所述第二分压单元的第一端连接;
各个开关的第二端均与所述第二分压单元的第二端连接;
其中,各个开关中只有一个开关闭合。
4.如权利要求3所述的电源电路,其特征在于,所述至少两个开关位于一个多选一开关上。
5.如权利要求2至4任一项所述的电源电路,其特征在于,所述电源电路还包括:低通滤波单元;
所述低通滤波单元的输入端与所述第二分压单元的第二端连接,所述低通滤波单元的输出端与所述电源电路的输出端连接。
6.如权利要求5所述的电源电路,其特征在于,所述电源电路还包括:隔离单元;
所述隔离单元的输入端与所述低通滤波单元的输出端连接,所述隔离单元的输出端与所述电源电路的输出端连接。
7.如权利要求6所述的电源电路,其特征在于,所述隔离单元包括:电阻电容滤波器及源极跟随器;
所述电阻电容滤波器的输入端与所述隔离单元的输入端连接,所述电阻电容滤波器的输出端与所述源极跟随器的输入端连接,所述源极跟随器的输出端与所述隔离单元的输出端连接。
8.如权利要求1所述的电源电路,其特征在于,所述电源电路还包括:第二NMOS管及第一PMOS管;
所述第一PMOS管的源极与所述直流电源连接,所述第一PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极连接,所述第一PMOS管的栅极用于输入第一开启信号;
所述第二NMOS管的漏极与所述第一NMOS管的源极连接,所述第二NMOS管的源极与所述第一分压单元的第一端连接,所述第二NMOS管的栅极用于输入第二开启信号。
9.如权利要求8所述的电源电路,其特征在于,所述电源单元还包括:第三NMOS管;
所述第三NMOS管的漏极与所述运算放大器的输出端连接,所述第三NMOS管的源极接地,所述第三NMOS管的栅极用于输入所述第一开启信号。
10.如权利要求1所述的电源电路,其特征在于,所述运算放大器为共源共栅两级运放。
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