[发明专利]一种功率芯片终结区的制备方法及功率芯片的制备方法

权利要求书

1.一种功率芯片终结区的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一N型衬底；

于所述N型衬底上形成一P+接地环；

在所述N型衬底对应终结区位置对应形成一场氧化层；

在所述N型衬底上依次形成P型环，所述P型环在未形成所述场氧化层位置所述P型环之间保持间隔设置。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述P型环包括表面线性P型环，所述表面线性P型环的制备方法包括：

提供一第一光罩，所述第一光罩对应所述P+接地环及所述P型环的形成位置开设有通槽；

植入第一预定剂量的P型离子，以在所述N型衬底上分别形成所述P+接地环及所述表面线性P型环。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述终结区与元胞区之间的第一个P+接地环，所述第一个P+接地环在所述第一个在终结区的边角区与平边区的交汇处。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，形成所述P+接地环的方法包括：

确定P+接地环域的第一位置；

采用第二光罩暴露所述第一位置；

对暴露的所述第一位置植入预定剂量的P型离子。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述P型环包括埋入线性P型环，所述埋入线性P型环的制备方法包括：

提供一第三光罩，所述第三光罩对应所述P型环的形成位置开设有通槽；

注入第二预定剂量的P型离子；

继续通过第四光罩植入预定剂量的砷离子，以在所述N型衬底上分别形成所述埋入线性P型环。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，形成所述场氧化层的方法包括：

确定场氧化层的第二位置；

采用第五光罩暴露所述第二位置；

对暴露的所述第二位置进行刻蚀形成第一沟槽；

于所述第一沟槽内沉积形成所述场氧化层。

7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述P型离子的植入剂量在：boron/100KeV/4.0-8.0E14cm-2。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述P型离子的植入剂量在：boron/100-360KeV/1.0-4.0E14cm-2。

9.一种功率芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一N型衬底；

于所述N型衬底上形成一P+接地环；

在所述N型衬底对应终结区位置对应形成一场氧化层；

对应所述场氧化层位置依次形成P型环，所述P型环之间保持间隔设置；

继续在所述衬底的顶部形成复晶硅层；

在所述衬底的底部背向所述复晶硅层的一面依次形成截止层及P型层；

继续在所述复晶硅层上进行金属层布局。