[发明专利]锡基钙钛矿薄膜的制备方法及其在光电器件中应用在审
| 申请号： | 202210866575.6 | 申请日： | 2022-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN115084376A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 肖正国;陈文静 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00;H01L51/50;H01L51/56;H01L51/54 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 锡基钙钛矿 薄膜 制备 方法 及其 光电 器件 应用 | ||
1.一种锡基钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，包括：
利用卤化锡与卤化铯的混合溶液以及有机胺盐，配制得到锡基钙钛矿前驱液；
利用所述锡基钙钛矿前驱液，在预先刻蚀处理过的玻璃片上进行旋涂，得到目标锡基钙钛矿薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法，还包括：
在旋涂的过程中，在预设时间内滴加反溶剂，得到初始锡基钙钛矿薄膜，其中，所述反溶剂为与所述锡基钙钛矿前驱液中溶剂起相反溶解作用的溶剂；
对所述初始锡基钙钛矿薄膜进行退火处理得到所述目标锡基钙钛矿薄膜。
3.根据权利要求1所述的制备方法，在所述利用卤化锡、卤化铯的混合溶液以及有机胺盐，配制得到锡基钙钛矿前驱液之后，还包括：
向所述锡基钙钛矿前驱液中加入氧化抑制剂。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其中，所述氧化抑制剂包括氟化锡；
所述氧化抑制剂与所述锡基钙钛矿前驱液的摩尔比为1：9～3：7。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述旋涂的转速为4000～6000r/min。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述混合溶液包括：碘化锡、溴化锡、碘化铯和溴化铯。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述有机胺盐包括PEAIxBr1-x长链有机胺盐，0x1；
所述有机胺盐与所述混合溶液的摩尔比为1：4～2：3。
8.根据权利要求1～7任一项所述的制备方法制备得到的锡基钙钛矿薄膜在光电器件中的应用。
9.根据权利要求8所述的应用，其中，所述光电器件包括：锡基钙钛矿发光二极管器件。
10.根据权利要求9所述的应用，其中，所述锡基钙钛矿发光二极管器件的制备方法包括：
提供一透明导电材料；
在所述透明导电材料上制备空穴传输层衬底；
利用旋涂法，在所述空穴传输层衬底上，制备锡基钙钛矿薄膜；在所述钙钛矿薄膜上依次制备电子传输层、阻挡层和金属电极，得到锡基钙钛矿发光二极管器件。
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