[发明专利]一种制备纳米晶薄膜的装置及其方法与应用

权利要求书

1.一种制备纳米晶薄膜的装置，其特征在于：包括：

真空腔；

加热台，所述加热台设置于所述真空腔的的内部；

坩埚，所述坩埚设置于所述加热台的表面；

隔热板，所述隔热板设置于所述坩埚的表面；

衬底，所述衬底设置于所述隔热板的表面。

2.根据权利要求1所述的一种制备纳米晶薄膜的装置，其特征在于：

还包括气管连接口，所述气管连接口连接真空腔。

3.根据权利要求2所述的一种制备纳米晶薄膜的装置，其特征在于：所述隔热板为单层陶瓷片或多层陶瓷片。

4.根据权利要求1所述的一种制备纳米晶薄膜的装置，其特征在于：还包括散热板，所述散热板设置于所述衬底的表面。

5.一种利用如权利要求1至4任一项所述的装置来制备纳米晶薄膜的方法，其特征在于：包括以下步骤：

将晶体材料放置于所述坩埚内，将真空腔内气压抽至1-10Pa，打开所述加热台，加热，使得晶体真空升华，在所述衬底表面形成纳米晶薄膜。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：所述加热的温度为50-500℃。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：所述加热时间为10-40min。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：所述晶体包括CsCu₂I₃，其制备方法包括以下步骤：

A1混合CsI和GuI于溶剂中；

A2滴加甲醇溶液，直至出现白色沉淀物并停止溶解，得到饱和溶液；

A3固液分离，将分离后的溶液置于甲醇氛围中，密封加热，得到所述CsCu₂I₃晶体。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：所述加热的温度为50-80℃，时间为10-48h。

10.如权利要求1至4任一项所述的一种制备纳米晶薄膜的装置在太阳能电池制造中的应用。