[发明专利]放大器在审
申请号: | 202210870222.3 | 申请日: | 2022-07-22 |
公开(公告)号: | CN115800937A | 公开(公告)日: | 2023-03-14 |
发明(设计)人: | 温松翰;林育弘;简士雄;钟季衡 | 申请(专利权)人: | 联发科技股份有限公司 |
主分类号: | H03F3/21 | 分类号: | H03F3/21;H03F3/45 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 张祺浩 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 放大器 | ||
本发明提供了一种高效率的放大器,包括输入级、控制级、功率级和去增益级。输入级用于接收输入信号以产生放大信号。控制级用于根据该放大信号产生第一驱动信号与第二驱动信号。功率级包括第一输入端及第二输入端,其中,功率级耦接电源电压及接地电压,用于接收分别来自第一输入端及第二输入端的第一驱动信号及第二驱动信号,以产生输出信号。去增益级耦接该功率级,用于根据该第二驱动信号产生第一控制信号至该第一输入端。
技术领域
本发明实施例通常涉及放大技术,以及更具体地,涉及一种高效率的放大器。
背景技术
传统的AB类放大器通常包括放大级和功率级,其中,放大级被配置为产生两个驱动信号来控制串联在功率级中的P型金属氧化物半导体(P-type metal-oxide-semiconductor,PMOS)和N型金属氧化物半导体(N-type metal-oxide-semiconductor,NMOS)。理想情况下,功率级的NMOS和PMOS不会被同时使能。然而,在实际使用中,当NMOS被使能以汲取电流时,PMOS也将会因为驱动信号之间不可避免的电容器耦合效应而被使能,导致PMOS存在漏电流。此外,当放大器操作在高频时,上述现象更为严重,例如,AB类放大器可能会像A类放大器一样工作,效率较低。
发明内容
因此,本发明的目的在于提供一种高效率的放大器,以解决上述问题。
第一方面,本发明提供一种放大器,其中,该放大器包括输入级、控制级、功率级和去增益级。输入级用于接收输入信号以产生放大信号;控制级耦接该输入级,用于根据该放大信号产生第一驱动信号和第二驱动信号;功率级包括第一输入端和第二输入端,其中,该功率级耦接电源电压和接地电压,用于分别从该第一输入端和该第二输入端接收该第一驱动信号和该第二驱动信号并产生输出信号;以及,去增益级耦接该功率级,用于根据该第二驱动信号产生第一控制信号至该第一输入端。
在一些实施例中,该控制级是AB类级。
在一些实施例中,该去增益级包括:第一低通滤波器,用于对该第二驱动信号进行滤波以产生滤波后的第二驱动信号;以及第一控制电路,耦接该第一低通滤波器,用于产生该第一控制信号至该功率级的第一输入端,以根据该滤波后的第二驱动信号限制该第一驱动信号的摆幅。
在一些实施例中,响应于该滤波后的第二驱动信号大于第一阈值电平,该第一控制电路将该功率级的第一输入端通过电容器耦接至该电源电压或该输出信号。
在一些实施例中,响应于该滤波后的第二驱动信号不大于该第一阈值电平,该第一控制电路不将该功率级的第一输入端通过该电容器耦接到该电源电压或该输出信号。
在一些实施例中,响应于该滤波后的第二驱动信号大于第一阈值电平,该第一控制电路使用跨导放大器向该功率级的第一输入端提供电流。
在一些实施例中,响应于该滤波后的第二驱动信号不大于该第一阈值电平,该第一控制电路不向该功率级的第一输入端提供电流。
在一些实施例中,该第一控制电路包括阻尼电路,该阻尼电路耦接在该功率级的第一输入端和该跨导放大器的内部端子或输入端之间。
在一些实施例中,该功率级还包括P型晶体管和N型晶体管,该P型晶体管耦接在该电源电压和输出端之间,该N型晶体管耦接在该输出端和该接地电压之间,该P型晶体管接收来自该第一输入端的该第一驱动信号,以及,该N型晶体管接收来自该第二输入端的该第二驱动信号,以产生该输出信号。
在一些实施例中,该去增益级还包括:第二低通滤波器,用于对该第一驱动信号进行滤波以产生滤波后的第一驱动信号;以及第二控制电路,耦接该第二低通滤波器,用于根据该滤波后的第一驱动信号产生第二控制信号至该功率级的第二输入端,以根据该滤波后的第一驱动信号限制该第二驱动信号的摆幅。
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