[发明专利]一种四氯化硅除杂方法

权利要求书

1.一种四氯化硅除杂方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、将粗品四氯化硅通入除尘塔内，在所述除尘塔塔顶操作压力为1bar，塔顶操作温度为65℃～85℃的条件下进行除尘，所述除尘塔塔底得到高沸物和硅粉，塔顶得到液相产物；

所述粗品四氯化硅包括四氯化硅、三氯氢硅、高沸物、硅粉、三氯化硼、三氯化磷、四氯化钛、三氯化铝和三氯化铁；所述液相产物包括四氯化硅、三氯氢硅、三氯化硼、三氯化磷、四氯化钛、三氯化铝和三氯化铁；

S2、将S1中得到的液相产物通过屏蔽泵加压后通入膜分离器中进行除杂，得到高压氯硅烷混合液；将所述高压氯硅烷混合液通入减压至1bar的缓冲罐中，得到氯硅烷混合液；

所述高压氯硅烷混合液包括四氯化硅和三氯氢硅；所述屏蔽泵的出口压力为1MPa～6MPa；所述膜分离器中的膜采用不与四氯化硅和三氯氢硅反应的有机高分子反渗透膜，所述有机高分子反渗透膜为均苯三甲酰氯-聚醚砜膜；

S3、将S2中得到的氯硅烷混合液通入脱轻塔中进行精馏，所述脱轻塔塔顶操作压力为1bar，塔顶操作温度为35℃～55℃；所述脱轻塔塔顶排出三氯氢硅，塔釜得到质量分率大于99.9999％的高纯四氯化硅。

2.根据权利要求1所述的一种四氯化硅除杂方法，其特征在于，S1中所述除尘塔的理论塔板数为45～65块，回流比为1～5。

3.根据权利要求1所述的一种四氯化硅除杂方法，其特征在于，S3中所述脱轻塔的理论板数为60～80块，回流比为3～5。