[发明专利]光刻工艺方法及极紫外线光刻工艺方法

权利要求书

1.一种极紫外线光刻工艺方法，包括：

接收一集成电路设计布局；

根据上述集成电路设计布局，决定多个候选子区域；

根据一制造成本函数以及上述候选子区域，决定一子区域参数N_x、一子区域参数N_y以及一光罩参数M；

根据上述集成电路设计布局，制造一第一数量的相同的多个光罩；

其中上述第一数量等于上述光罩参数M，上述光罩的每一者包括于一阵列中配置上述子区域参数N_x*上述子区域参数N_y个多个子区域，并且上述光罩的每一者上的上述子区域的每一者定义相同的一图案；

于一基板上形成一抗蚀剂层；

决定上述抗蚀剂层的一最佳曝光剂量E_op；以及

利用上述光罩对上述抗蚀剂层中相同的一区域执行一第二数量的多个曝光工艺。

2.如权利要求1所述的极紫外线光刻工艺方法，其中上述制造成本函数被定义为一光罩制造成本以及一光刻曝光成本的函数。

3.如权利要求2所述的极紫外线光刻工艺方法，其中上述光罩制造成本还包括一光罩制作成本、一空白光罩成本以及一光罩修复成本。

4.如权利要求2所述的极紫外线光刻工艺方法，其中上述光刻曝光成本为一步进时间成本以及一扫描时间成本的函数。

5.如权利要求1所述的极紫外线光刻工艺方法，其中：

上述第二数量等于M*N_x'*N_y'；

上述曝光工艺的每一者仅使用上述光罩的其中一者；

上述曝光工艺包括与上述第一数量的上述光罩匹配成对的M个群，从而利用一匹配成对的光罩来实施每一个群的上述曝光工艺；

每一个群的上述曝光工艺还包括使用上述匹配成对的光罩的一相应子区域的N_x'*N_y'个曝光工艺，上述N_x'*N_y'个曝光工艺至少包括一第一曝光工艺、一第二曝光工艺以及一第三曝光工艺，其中：

上述第一曝光工艺包括将上述匹配成对的光罩步进一第一距离以将上述匹配成对的光罩的一第一子区域的一第一图案定位至上述抗蚀剂层的一次场中并进行曝光，以将上述匹配成对的光罩的上述第一子区域的上述第一图案成像至上述次场中的上述抗蚀剂层；

上述第二曝光工艺包括将上述匹配成对的光罩步进不同于上述第一距离的一第二距离以将上述匹配成对的光罩的一第二子区域的一第二图案定位至上述抗蚀剂层的上述次场中并进行曝光，以将上述匹配成对的光罩的上述第二子区域的上述第二图案成像至上述次场中的上述抗蚀剂层；以及

上述第三曝光工艺包括将上述匹配成对的光罩步进一第三距离并进行曝光，其中上述第三距离等于上述第一距离且不同于上述第二距离；以及

上述第二数量的上述曝光工艺共同于上述抗蚀剂层的上述区域中形成上述图案的一潜像，其中N_x'为值为1、2、……或N_x的整数，以及N_y'为值为1、2、……或N_y的整数，其中N_x'*N_y'大于1。

6.如权利要求5所述的极紫外线光刻工艺方法，还包括显影上述抗蚀剂层以于上述区域中形成具有上述图案的一图案化光阻。

7.如权利要求5所述的极紫外线光刻工艺方法，其中上述抗蚀剂层的上述区域通过上述第二数量的上述曝光工艺以多个对应的曝光剂量曝光M*N_x'*N_y'次，上述曝光剂量的每一者小于上述最佳曝光剂量。

8.如权利要求7所述的极紫外线光刻工艺方法，其中来自上述曝光工艺的上述对应的曝光剂量共累加成一累计曝光剂量E_s，以共同决定上述抗蚀剂层的上述区域上的上述图案的一临界尺寸。