[发明专利]适用于本安电源输出端口的浪涌保护电路及其方法在审

专利信息
申请号: 202210872014.7 申请日: 2022-07-19
公开(公告)号: CN115133515A 公开(公告)日: 2022-09-30
发明(设计)人: 陈正能;谢国军;袁凤培;陈辉;赵立厂;张兴华;周远;刘丰祯;卓敏敏 申请(专利权)人: 天地(常州)自动化股份有限公司;中煤科工集团常州研究院有限公司
主分类号: H02H9/04 分类号: H02H9/04;H02H9/02
代理公司: 常州至善至诚专利代理事务所(普通合伙) 32409 代理人: 王颖
地址: 213100 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 适用于 电源 输出 端口 浪涌 保护 电路 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种适用于本安电源输出端口的浪涌保护电路,其特征在于,本安电源(1)的输出端连接有负载模块(2),所述本安电源(1)与所述负载模块(2)之间设有浪涌保护电路(3);所述浪涌保护电路(3)包括:第一级浪涌保护模块(31)、第二级浪涌保护模块(32)以及第三级浪涌保护模块(33),所述第一级浪涌保护模块(31)与第二级浪涌保护模块(32)连接,所述第二级浪涌保护模块(32)与第三级浪涌保护模块(33)连接,所述第一级浪涌保护模块(31)与所述负载模块(2)连接,所述第三级浪涌保护模块(33)与所述本安电源(1)的输出端连接。

2.如权利要求1所述的适用于本安电源输出端口的浪涌保护电路,其特征在于,所述第一级浪涌保护模块(31)包括:第二瞬态抑制二极管VD2和第三瞬态抑制二极管VD3,所述第二瞬态抑制二极管VD2的正极与所述本安电源(1)的负输出端连接,所述第二瞬态抑制二极管VD2的负极与所述本安电源(1)的正输出端连接,所述第三瞬态抑制二极管VD3的正极与所述本安电源(1)的负输出端连接,所述第三瞬态抑制二极管VD3的负极与所述本安电源(1)的正输出端连接。

3.如权利要求2所述的适用于本安电源输出端口的浪涌保护电路,其特征在于,所述第二级浪涌保护模块(32)包括:电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13以及电阻R14,所述电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13以及电阻R14之间并联,所述电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13以及电阻R14的一端均与所述本安电源(1)的负输出端连接,所述电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13以及电阻R14的另一端均与所述本安电源(1)的正输出端连接。

4.如权利要求3所述的适用于本安电源输出端口的浪涌保护电路,其特征在于,第三级浪涌保护模块(33)包括:PMOS管V1、PNP三极管V2、稳压二极管VD1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8以及电阻R15,所述电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R6以及电阻R7之间并联,所述电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R6以及电阻R7的一端均与所述本安电源(1)的正输出端连接,所述电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R6以及电阻R7的另一端均与所述PMOS管V1的源极连接;所述PMOS管V1的栅极与所述电阻R8的一端连接,所述PMOS管V1的漏极与所述电阻R9的另一端连接,所述PNP三极管V2的发射极与所述电阻R7的一端连接,所述PNP三极管V2的基极通过电阻R5与所述电阻R7的另一端连接,所述PNP三极管V2的集电极与所述电阻R8的另一端连接,所述稳压二极管VD1的正极与所述PNP三极管V2的集电极连接,所述稳压二极管VD1的负极与所述PMOS管V1的源极连接,所述电阻R15的一端与所述本安电源(1)的负输出端连接,所述电阻R15的另一端与所述PNP三极管V2的集电极连接。

5.如权利要求4所述的适用于本安电源输出端口的浪涌保护电路,其特征在于,所述浪涌保护电路(3)还包括电容C1,所述电容C1设于所述第二级浪涌保护模块(32)与第三级浪涌保护模块(33)之间,所述电容C1的一端与所述本安电源(1)的负输出端连接,所述电容C1的另一端与所述本安电源(1)的正输出端连接。

6.如权利要求3所述的适用于本安电源输出端口的浪涌保护电路,其特征在于,所述电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13以及电阻R14的额定功率均大于或等于125mW。

7.如权利要求4所述的适用于本安电源输出端口的浪涌保护电路,其特征在于,所述电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R6以及电阻R7的额定功率均大于或等于500mW。

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