[发明专利]一种铬硅合金溅射靶材的制备方法

权利要求书

1.一种铬硅合金溅射靶材的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

（1）混合铬粉和硅粉，得到混粉料；

（2）将步骤（1）得到的所述混粉料进行预烧处理，得到预烧坯；

所述预烧处理包括依次进行的第一预烧、第二预烧和第一加压；

所述第一预烧的升温速率为3-10℃/min；

所述第一预烧的终点温度为500-750℃；

所述第一预烧的保温时间为1-2h；

所述第二预烧的升温速率为1-5℃/min；

所述第二预烧的终点温度为800-1000℃；

所述第二预烧的保温时间≥1h；

所述第一加压的升压速率为0.05-0.8MPa/min；

所述第一加压的终点压力为15-40MPa；

所述第一加压的保压时间＞0.5h；

（3）将步骤（2）得到的所述预烧坯进行烧结处理，得到所述铬硅合金溅射靶材；

所述烧结处理包括依次进行第一烧结、第二烧结和第二加压；

所述第一烧结的升温速率为3-10℃/min；

所述第一烧结的终点温度为850-1100℃；

所述第一烧结的保温时间为1-2h；

所述第二烧结的升温速率为1-5℃/min；

所述第二烧结的终点温度为1150-1350℃；

所述第二烧结的保温时间≥1h；

所述第二加压的升压速率为0.05-0.5MPa/min；

所述第二加压的终点压力为25-40MPa；

所述第二加压的保压时间＞0.5h。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述铬粉的纯度＞99.9%。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硅粉的纯度＞99.999%。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述铬粉的平均粒径＜200μm。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硅粉的平均粒径＜45μm。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述铬粉和硅粉的质量比为(2-4):(1-3)。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述混合包括球磨。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述球磨的磨球包括铬球和/或硅球。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述混粉料与磨球的质量比为(5-10):1。

10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述混合的时间≥36h。

11.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）所述第一预烧前，将混粉料放入模具中压实，然后进行抽真空。

12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）所述压实后的平面度≤0.5mm。

13.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）所述抽真空的终点真空度＜100Pa。

14.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）所述预烧坯先依次进行修坯和抽真空，然后再进行烧结处理。

15.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）所述修坯后的平面度＜0.5mm。

16.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）所述抽真空的终点真空度＜100Pa。

17.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

（1）将铬粉和硅粉按质量比为(2-4):(1-3)进行球磨，所述球磨的时间≥36h，所述铬粉的纯度＞99.9%，平均粒径＜200μm，所述硅粉的纯度＞99.999%，平均粒径＜45μm，得到混粉料，所述混粉料与磨球的质量比为(5-10):1；

（2）将步骤（1）得到的所述混粉料放入模具中压实至平面度≤0.5mm，然后抽真空至终点真空度＜100Pa，之后依次以3-10℃/min升温至500-750℃进行第一预烧并保温1-2h，再以1-5℃/min升温至800-1000℃进行第二预烧，所述第二预烧的保温时间≥1h，接着以0.05-0.8MPa/min升压至15-40MPa进行第一加压，所述第一加压的保压时间＞0.5h，得到预烧坯；

（3）将步骤（2）得到的所述预烧坯进行修坯至平面度＜0.5mm，然后抽真空至终点真空度＜100Pa，之后依次以3-10℃/min升温至850-1100℃进行第一烧结并保温1-2h，再以1-5℃/min升温至1150-1350℃进行第二烧结，所述第二烧结的保温时间≥1h，接着以0.05-0.5MPa/min升压至25-40MPa进行第二加压，所述第二加压的保压时间＞0.5h，得到所述铬硅合金溅射靶材。