[发明专利]一种智能功率模块在审
申请号: | 202210878701.X | 申请日: | 2022-07-25 |
公开(公告)号: | CN115085514A | 公开(公告)日: | 2022-09-20 |
发明(设计)人: | 冯宇翔;张土明;何嘉杰 | 申请(专利权)人: | 广东汇芯半导体有限公司 |
主分类号: | H02M1/00 | 分类号: | H02M1/00;H02M1/08;H02H7/12;H01L25/16;H01L23/367 |
代理公司: | 佛山市禾才知识产权代理有限公司 44379 | 代理人: | 刘羽波;陈嘉琦 |
地址: | 528000 广东省佛山市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 智能 功率 模块 | ||
1.一种智能功率模块,其特征在于,包括:金属衬底层、设置在所述金属衬底层上的绝缘层、设置在所述绝缘层上的电路层、设置在所述电路层上的HIVC驱动逻辑电路、缓存电路、上桥臂驱动电路、下桥臂驱动电路、开关管组件、工作保护电路、驱动使能电路、故障检测与输出电路、以及设置在所述电路层上的保护层,所述HIVC驱动逻辑电路分别与所述上桥臂驱动电路和所述下桥臂驱动电路电连接,所述上桥臂驱动电路、所述下桥臂驱动电路分别与所述开关管组件电连接;
所述开关管组件包括并联的第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、第五三极管以及第六三极管,所述上桥臂驱动电路分别与所述第一三极管、所述第二三极管及所述第三三极管连接,所述下桥臂驱动电路分别与所述第四三极管、所述第五三极管及所述第六三极管连接。
2.如权利要求1所述的智能功率模块,其特征在于,所述HIVC驱动逻辑电路包括:电源电路、保护电路、报错电路、互锁电路、上桥驱动电路、下桥驱动电路、使能电路及FRD续流电路,所述保护电路分别与所述电源电路及所述报错电路电性连接,所述互锁电路分别与所述上桥驱动电路及所述下桥驱动电路电性连接,所述使能电路分别与所述上桥驱动电路、所述保护电路、所述报错电路及所述下桥驱动电路电性连接。
3.如权利要求2所述的智能功率模块,其特征在于,所述FRD续流电路包括:第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第五二极管及第六二极管,所述第一二极管、所述第二二极管及所述第三二极管分别与所述第四二极管、所述第五二极管及所述第六二极管串联,所述第一二极管的阴极连接电源,所述第一二极管的阳极与所述第四二极管的阴极相连接输出到U相上,所述第四二极管的阳极与输出端NU相连接,所述第二二极管的阴极接所述电源,所述第二二极管的阳极与所述第五二极管的阴极相连接输出到V相上,所述第五二极管的阳极与所述输出端NV相连接,所述第三二极管的阴极接所述电源,所述第三二极管的阳极与所述第六二极管的阴极相连接输出至W相上,所述第六二极管的阳极与输出端NW相连接。
4.如权利要求3所述的智能功率模块,其特征在于,所述第一二极管、所述第二二极管、所述第三二极管、所述第四二极管、所述第五二极管及所述第六二极管均为续流二极管FRD。
5.如权利要求1所述的智能功率模块,其特征在于,所述HIVC驱动逻辑电路还包括高压侧驱动电路和低压侧驱动电路。
6.如权利要求5所述的智能功率模块,其特征在于,所述高压侧驱动电路包括:第一斯密特触发器、第一滤波单元、第一电位位移电路、第一与非逻辑门、脉冲生产电路、滤波器电路、锁存器、或非逻辑门、第二与非逻辑门、第三与非逻辑门、第一滤波电路、多个MOS管以及多个限流电阻器。
7.如权利要求6所述的智能功率模块,其特征在于,所述多个MOS包括第一MOS、第二MOS、第三MOS及第四MOS,所述脉冲生产电路的输出端分别与所述第一MOS、所述第二MOS的栅极连接,第一MOS的漏极与所述滤波器电路的输入端连接,所述第二MOS的漏极与所述第一滤波电路连接,所述滤波器电路的输出端与所述锁存器的输入端S连接,所述第一滤波电路的输出端与锁存器的输入端R连接。
8.如权利要求7所述的智能功率模块,其特征在于,所述多个限制电阻包括第一限流电阻器和第二限流电阻器。
9.如权利要求5所述的智能功率模块,其特征在于,所述低压侧驱动电路包括:第二斯密特触发器、第二滤波电路、第二电位位移电路、死区互锁电路、延时电路、比较器、第五MOS以及第六MOS,所述第一斯密特触发器的输出端与所述第二滤波电路的输入端连接,所述第二滤波电路的输出端与所述第二电位位移电路的输入端连接,所述第二电位位移电路的输出端与所述死区互锁电路的输入端连接,所述死区互锁电路的输出端与所述延时电路的输入端连接,所述延时电路的输出端与所述比较器的输入端连接,所述比较器的输出端分别与所述第五MOS、所述第六MOS的栅极连接。
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