[发明专利]抛光垫及利用其的半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种抛光垫，其中，包括：

抛光层，包括作为抛光面的第一面和作为所述第一面的相反面的第二面，并且包括从所述第一面贯穿至所述第二面的第一通孔，

窗，设置在所述第一通孔内，以及

孔隙，位于所述第一通孔的侧面和所述窗的侧面之间；

在所述第一面和所述窗的最上端面之间包括所述孔隙的开口部，

所述孔隙的开口部的宽度大于0.00μm。

2.根据权利要求1所述的抛光垫，其中，

所述孔隙的开口部的宽度为50μm至500μm。

3.根据权利要求1所述的抛光垫，其中，

所述孔隙具有在从所述第一面向所述第二面的方向上增加的体积梯度或者减小的体积梯度，

所述第一通孔的侧面和所述窗的侧面形成的角度为大于0°且60°以下。

4.根据权利要求3所述的抛光垫，其中，

当所述孔隙具有体积在从所述第一面向所述第二面的方向上增加的结构时，

所述窗的最下端面的面积与所述窗的最上端面的面积之比为0.950以上且小于1.000。

5.根据权利要求3所述的抛光垫，其中，

当所述孔隙具有体积在从所述第一面向所述第二面的方向上减小的结构时，

所述窗的最下端面的面积与所述窗的最上端面的面积之比为大于1.000且1.050以下。

6.根据权利要求1所述的抛光垫，其中，

所述第一面包括至少一个沟槽，

所述沟槽的深度为100μm至1500μm，宽度为0.1mm至20mm。

7.根据权利要求6所述的抛光垫，其中，

所述第一面包括多个沟槽，

所述多个沟槽包括同心圆形沟槽，

所述同心圆形沟槽中相邻的两个沟槽之间的间隔为2mm至70mm。

8.根据权利要求1所述的抛光垫，其中，还包括：

支撑层，设置在所述抛光层的所述第二面侧，并且包括与所述第一通孔连接的第二通孔，

所述支撑层包括所述抛光层侧的第三面和作为所述第三面的相反面的第四面，

所述第二通孔小于所述第一通孔，以及

所述窗由所述第三面支撑。

9.一种抛光垫，其中，包括：

抛光层，包括作为抛光面的第一面和作为所述第一面的相反面的第二面，并且包括从所述第一面贯穿至所述第二面的第一通孔，以及

窗，设置在所述第一通孔内；

在所述第一通孔的侧面和所述窗的侧面之间包括孔隙；

在所述第一面和所述窗的最上端面之间包括所述孔隙的开口部，

所述抛光垫的以下第1式的值为大于0.00且15.00以下，

第1式：

W×(1-D)

在所述第1式中，所述W为所述孔隙的开口部的宽度值，所述D为相对于所述抛光层中所述第一通孔的体积1.00的所述窗的体积的比值，所述宽度值的单位为μm。

10.一种半导体器件的制造方法，其中，包括如下步骤：

提供具有抛光层的抛光垫，所述抛光层包括作为抛光面的第一面和作为所述第一面的相反面的第二面，包括从所述第一面贯穿至所述第二面的第一通孔，并且包括设置在所述第一通孔内的窗，以及

将抛光对象的被抛光面设置成与所述第一面接触后，在加压条件下使所述抛光垫和所述抛光对象彼此相对旋转的同时抛光所述抛光对象；

所述抛光对象包括半导体基板，

所述抛光垫在所述第一通孔的侧面和所述窗的侧面之间包括孔隙，以及

在所述第一面和所述窗的最上端面之间包括所述孔隙的开口部，

所述孔隙的开口部的宽度大于0.00μm。