[发明专利]一种钾离子选择性薄膜及其制备方法有效
申请号: | 202210891819.6 | 申请日: | 2022-07-27 |
公开(公告)号: | CN115364679B | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
发明(设计)人: | 高鹏程;吴晓庆;陈雅捷 | 申请(专利权)人: | 中国地质大学(武汉) |
主分类号: | B01D67/00 | 分类号: | B01D67/00;B01D69/12;B01D71/02;B01D69/02;B01J20/22;B01J20/30 |
代理公司: | 武汉知产时代知识产权代理有限公司 42238 | 代理人: | 胡青 |
地址: | 430000 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 离子 选择性 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种钾离子选择性薄膜的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:
S1:制备功能化氧化石墨烯薄膜
将氧化石墨烯粉末和二甲基二甲氧基硅烷液体加入去离子水中,加热搅拌至完全分散,停止搅拌并将溶液冷却至室温形成胶体溶液,并取一定量的胶体溶液滴加在多孔基底聚对苯二甲酸乙二醇酯膜上,自然风干得到功能化氧化石墨烯薄膜;
S2:制备负载K+功能化氧化石墨烯薄膜
将干燥后的功能化氧化石墨烯薄膜放入0.1~0.5M的KCl溶液中,室温下吸附10~24h后取出,并用离子水冲洗功能化氧化石墨烯薄膜表面多余的离子溶液,随后用氮气吹干,制备成负载K+功能化氧化石墨烯薄膜,即钾离子选择性薄膜。
2.如权利要求1所述的一种钾离子选择性薄膜的制备方法,其特征在于:步骤S1中,采用以下质量比的原料:氧化石墨烯:二甲基二甲氧基硅烷:去离子水=7:250~350:2000。
3.如权利要求1所述的一种钾离子选择性薄膜的制备方法,其特征在于:步骤S1中,加热温度为100~110℃,转速为350~500r/min;磁力搅拌反应5~7h。
4.如权利要求1所述的一种钾离子选择性薄膜的制备方法,其特征在于:多孔基底聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的孔径为30nm。
5.一种采用权利要求1-4任一项所述的制备方法制备的钾离子选择性薄膜。
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