[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板在审
申请号: | 202210893965.2 | 申请日: | 2022-07-27 |
公开(公告)号: | CN115312537A | 公开(公告)日: | 2022-11-08 |
发明(设计)人: | 王昕童 | 申请(专利权)人: | 广州华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 高爽 |
地址: | 510700 广东省广州市黄埔区*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
本发明公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板,制备方法包括:提供一玻璃衬底;在玻璃衬底上形成栅极金属层,玻璃衬底和栅极金属层表面分布有多个含氧基团,含氧基团的结构通式为“‑O‑”;在栅极金属层上形成栅极绝缘层,含氧基团与栅极绝缘层中的硅原子通过化学键结合形成硅氧基团。通过对玻璃衬底和栅极金属层进行表面处理,利用含氧基团与栅极绝缘层中的硅原子通过化学键结合形成硅氧基团,用这种化学键作用能够增强栅极绝缘层与栅极金属层和玻璃衬底之间的附着力,从而改善在进行拉拔力测试接着力时,因附着力差造成的栅极绝缘层出现剥离的问题。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
背景技术
近年来,超窄边框显示器越来越受到关注。虽然市场对超窄边框显示器的品质要求逐渐提高,但是显示器接着力偏低的问题一直没有得到充分的解决。超窄边框显示器中位于边缘区域的金属线的布置相较于普通显示器更为密集,这会导致边缘区域的栅极绝缘层更多地是与栅极金属层接触。由于栅极绝缘层与栅极金属层之间的接触属于分子间作用力,栅极绝缘层与玻璃衬底之间的接触为化学键,因此,栅极绝缘层与玻璃衬底之间具有更强的接着力,在超窄边框显示器在进行拉拔力测试接着力时,经常出现因栅极绝缘层剥离而导致的接着力问题。
发明内容
本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板,以解决现有的阵列基板在进行拉拔力测试接着力时,出现因栅极绝缘层剥离的技术问题。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
本发明提供一种阵列基板的制备方法,包括以下步骤:
提供一玻璃衬底;
在所述玻璃衬底上形成栅极金属层,所述玻璃衬底和所述栅极金属层表面分布有多个含氧基团,所述含氧基团的结构通式为“-O-”;以及
在所述栅极金属层上形成栅极绝缘层,所述含氧基团与所述栅极绝缘层中的硅原子通过化学键结合形成硅氧基团。
根据本发明提供的阵列基板的制备方法,所述在所述玻璃衬底上形成栅极金属层的步骤包括:
将至少一种含氧化合物溶于水洗试剂中;以及
采用所述水洗试剂对所述玻璃衬底和所述栅极金属层进行水洗清洁,在所述栅极金属层和所述玻璃衬底表面形成多个所述含氧基团。
根据本发明提供的阵列基板的制备方法,所述在所述栅极金属层上形成栅极绝缘层的步骤包括:
提供一无机溶液;
将所述无机溶液形成于所述玻璃衬底和所述栅极金属层表面;
对所述阵列基板进行加热处理,所述含氧化合物发生开环反应,得到多个所述含氧基团,所述含氧基团与所述栅极绝缘层中的硅原子通过化学键结合形成硅氧基团;以及
冷却至室温,得到所述栅极绝缘层。
根据本发明提供的阵列基板的制备方法,在所述提供一无机溶液的步骤之后,所述制备方法还包括:
将至少一种所述含氧化合物溶于无机溶液中,搅拌均匀。
根据本发明提供的阵列基板的制备方法,所述含氧化合物包括环氧化合物和呋喃化合物中的其中一种。
根据本发明提供的阵列基板的制备方法,所述含氧化合物中的所述含氧基团的质量分数范围为2.5%~3%。
根据本发明提供的阵列基板的制备方法,在形成所述栅极金属层的步骤之前,所述制备方法还包括:
采用臭氧清洗机对所述玻璃衬底进行清洗,在所述玻璃衬底表面形成多个所述含氧基团;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州华星光电半导体显示技术有限公司,未经广州华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210893965.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电动工具调速系统及方法
- 下一篇:一种光伏电站用晶圆成型设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的