[发明专利]用于研究封装类型对功率开关管动态特性影响的测试方法

权利要求书

1.一种用于研究封装类型对功率开关管动态特性影响的测试方法，其特征在于：取一颗开尔文封装器件作为被测器件，具体包括如下步骤：

当需要获得开尔文封装器件的动态特性时；主功率回路与被测器件的D引脚和PS引脚连接，驱动电路高输出端连接至被测器件的G引脚，驱动电路低输出端通过焊盘R₂短接KS引脚；在测量时，V_GS(4-M)的测量点为G引脚和KS引脚，V_DS(4-M)的测量点为D引脚和KS引脚；V_GS(4-M)为测量得到的驱动电压，V_DS(4-M)为测量得到的端电压；

当需要获得非开尔文封装器件的动态特性时，主功率回路与被测器件的D引脚和PS引脚连接，驱动电路高输出端连接至被测器件的G引脚，驱动电路低输出端通过焊盘R₁短接PS引脚，KS引脚悬空；在测量时，V_GS(3-M)测量点为引脚G和引脚PS，为使用非开尔文封装器件时测得的驱动电压；V_GS(4in3)测量点为引脚G和引脚KS；V_DS(3-M)测量点为引脚D和引脚PS，为使用非开尔文封装器件时测得的端电压；V_DS(4in3)测量点为引脚D和引脚KS；

其中，V_GS(4in3)和V_GS(3-M)的关系为：

V_GS(3-M)＝V_GS(4in3)+L_S(pkg-M)·dI_DS/dt

V_DS(4in3)和V_DS(3-M)的关系为：

V_DS(3-M)＝V_DS(4in3)+L_S(pkg-M)·dI_DS/dt

L_S(pkg-M)为非开尔文封装器件S极被包含在测试点之间的封装寄生电感；I_DS为流过被测器件的电流；dI_DS/dt为I_DS的时间变化率。

2.如权利要求1所述的一种用于研究封装类型对功率开关管动态特性影响的测试方法，其特征在于：所述L_S(pkg-M)通过阻抗分析仪测量或电磁仿真软件仿真获得。

3.如权利要求1所述的一种用于研究封装类型对功率开关管动态特性影响的测试方法，其特征在于：所述I_DS为使用电流探头、罗氏线圈、电流波形分析仪或采样电阻测量获得；所述V_GS(3PIN)、V_GS(3-M)、V_DS(3PIN)、V_DS(3-M)、V_GS(4-M)、V_DS(4-M)为使用电压探头测量获得。