[发明专利]双MOS的负载保护警报电路

权利要求书

1.一种双MOS的负载保护警报电路，其特征在于，包括MCU单片机和负载控制电路，所述负载控制电路包括负载电源、负载、NMOS、PMOS；

所述负载电源、所述负载、所述PMOS和所述NMOS依次串联，所述NMOS和所述PMOS由所述MCU单片机的不同控制端不同的电平控制。

2.如权利要求1所述的双MOS的负载保护警报电路，其特征在于，所述PMOS在所述MCU单片机的第一控制端为低电平时导通，所述NMOS在所述MCU单片机的第二控制端为高电平时导通，所述负载在所述NMOS和所述PMOS同时导通时导通工作。

3.如权利要求2所述的双MOS的负载保护警报电路，其特征在于，所述负载控制电路还包括第一电阻和第三电阻；

所述PMOS的栅极通过第六电阻连接所述第一控制端，还通过所述第一电阻连接VCC；

所述NMOS的栅极通过第七电阻连接所述第二控制端，还通过所述第三电阻连接所述NMOS的源极。

4.如权利要求1所述的双MOS的负载保护警报电路，其特征在于，所述MCU单片机还通过电平检测端检测在所述负载非工作状态下，所述NMOS是否失效导通，所述PMOS是否失效导通。

5.如权利要求4所述的双MOS的负载保护警报电路，其特征在于，所述负载控制电路还包括第五电阻，所述PMOS的漏极连接所述NMOS的漏极，所述NMOS的源极通过所述第五电阻接地；

所述PMOS的漏极通过第八电阻连接所述电平检测端，还通过第九电阻连接所述MCU单片机的检测控制端，所述检测控制端被设为输出高电平、输出低电平或输入。

6.如权利要求5所述的双MOS的负载保护警报电路，其特征在于，所述MCU单片机还通过电压检测端检测所述负载是否导通工作。

7.如权利要求6所述的双MOS的负载保护警报电路，其特征在于，所述负载控制电路还包括第四电阻，所述第五电阻的非接地端通过所述第四电阻连接所述电压检测端，所述电压检测端还通过电容接地。

8.如权利要求1所述的双MOS的负载保护警报电路，其特征在于，所述MCU单片机的第三控制端通过第十电阻连接警报器。

9.如权利要求8所述的双MOS的负载保护警报电路，其特征在于，所述第三控制端发生在以下任意一种情况时控制所述警报器发出警报：

在所述负载非工作状态下，所述NMOS失效导通；

在所述负载非工作状态下，所述PMOS失效导通；

在所述负载非工作状态下，所述MCU单片机的电压检测端检测到电压。

10.如权利要求1所述的双MOS的负载保护警报电路，其特征在于，所述负载为阻性加热负载或感性转动负载。