[发明专利]体声波谐振器和体声波滤波器

权利要求书

1.一种体声波谐振器，其特征在于，包括：

基板；

支撑层，设置在所述基板上，包括多边形空腔，所述空腔在与从所述基板到所述支撑层的第一方向相交的平面上具有三条以上的边；

压电层，设置在所述支撑层上；

底部电极，设置在所述压电层下方，与所述空腔部分重叠，并延伸穿过所述空腔的第一侧；

顶部电极，设置在所述压电层上方，与所述空腔部分重叠，并延伸穿过所述空腔的第二侧；

释放孔，在所述压电层中形成并与所述空腔部分重叠，包括以下至少一种：

第一释放孔，位于所述空腔的不同于第一侧和第二侧的一侧；

第二释放孔，位于所述空腔两侧相交处的空腔顶点附近，且不与所述底部电极或所述顶部电极重叠；

第三释放孔，位于所述空腔的第一侧附近，并与所述底部电极重叠；或者，

第四释放孔，邻近所述空腔的第二侧，并与所述顶部电极重叠；

接合层，设置于所述基板与所述支撑层之间，且包括突出结构；和，

覆盖所述接合层的边界层；

其中，所述边界层与所述接合层的突出结构构成围绕所述空腔的双壁边界结构。

2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述底部电极、所述压电层和所述顶部电极的相互重叠的部分构成有源区；

所述双壁边界结构包括至少一个远离所述有源区的突起，并且至少一释放孔位于至少一突起的旁边。

3.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述接合层由用于接合所述基板和所述边界层的SiO₂形成。

4.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述边界层由SiN、AlN、多晶硅、非晶硅或这些材料中的两种或两种以上的堆叠组合形成。

5.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述双壁边界结构连接到所述压电层或所述底部电极。

6.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述体声波谐振器包括所述第三释放孔，所述底部电极包括与所述第三释放孔重叠的开口，并且所述开口的直径大于所述第三释放孔的直径。

7.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述体声波谐振器包括所述第四释放孔，所述顶部电极包括与所述第四释放孔重叠的开口，并且所述开口的直径大于所述第四释放孔的直径。

8.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述支撑层由SiO₂形成。

9.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述基板由Si、玻璃、SiC、蓝宝石Al₂O₃或GaN形成。